Câu hỏi: Với chế độ tĩnh, dòng IE của T1 và T2 được xác định:

A. 0mA 

B. 2.3mA 

C. 1.15mA

D. Đáp án khác 

Câu 1: Hệ số khuếch đại điện áp của toàn mạch khuếch đại nhiều tầng sẽ bằng với: 

A. tích hệ số khuếch đại điện áp của mỗi tầng 

B. hệ số khuếch đại điện ápcủa tầng đầu tiên 

C. tổng hệ số khuếch đại điện của mỗi tầng nếu hệ số khuếch đại tính theo đơn vị dB 

D. A và C đều đúng

Câu 2: Trở kháng ra của mạch khuếch đại dùng transistor được xác định khi:

A. Tín hiệu vào (vin) khác 0 

B. Tín hiệu vào vin bằng 0 

C. Tín hiệu ra vin bằng 0 

D. Cả B và C

Câu 3: Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ 

B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau 

C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ 

D. Cả A, B, C

Câu 4: Mạch khuếch đai vi sai như hình 21, BJT T3 đóng vai trò gì trong mạch:

A. giảm hệ số khuếch đại đồng pha

B. tăng hệ số nén tín hiệu đồng pha 

C. nguồn dòng

D. cả A,B,C

Câu 5: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng ghép biến áp giữa các tầng là:

A. Có kích thước và trọng lượng lớn 

B. Giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần số rất cao

C. Không hoàn toàn cách điện 

D. Cả A và B

Câu 6: Trở kháng vào của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định:

A. Tổng trở kháng vào của mỗi tầng

B. Tích trở kháng vào của mỗi tầng 

C. Trở kháng vào của tầng đầu tiên 

D. Trở kháng vào của tầng cuối cùng