Câu hỏi: Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ 

B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau 

C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ 

D. Cả A, B, C

Câu 1: Bộ khuếch đại chọn lọc có đặc điểm:

A. khuếch đại tín hiệu trong một dải tần chọn lọc

B. nén tín hiệu ngoài dải tần chọn lọc 

C. tải là một mạch cộng hưởng hay mạch lọc

D. cả A, B, C

Câu 2: Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. Các tụ ghép cho phép mạch khuếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC 

B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mỗi tầng độc lập nhau 

C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở Emitter nên làm tăng hệ số khuếch đại

D. B và C đều đúng

Câu 3: Khi vẽ sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều của mạch khuếch tín hệu nhỏ dùng transistor, ta thực hiện:

A. Ngắn mạch các tụ 

B. Giữ nguyên các nguồn cung cấp một chiều 

C. Thiết lập các nguồn cung cấp một chiều về 0V

D. Cả A và C

Câu 4: Tại sao cần phải xác định trở kháng vào của mỗi tầng trong bộ khuếch đại nhiều tầng:

A. Do trở kháng vào của toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng 

B. Hệ số khuếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo 

C. Do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước 

D. B và C đều đúng

Câu 5: Trở kháng ra của mạch khuếch đại dùng transistor được xác định khi:

A. Tín hiệu vào (vin) khác 0 

B. Tín hiệu vào vin bằng 0 

C. Tín hiệu ra vin bằng 0 

D. Cả B và C

Câu 6: Trở kháng vào của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định:

A. Tổng trở kháng vào của mỗi tầng

B. Tích trở kháng vào của mỗi tầng 

C. Trở kháng vào của tầng đầu tiên 

D. Trở kháng vào của tầng cuối cùng