Câu hỏi: Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ 

B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau 

C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ 

D. Cả A, B, C

Câu 1: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. Không truyền đạt được tín hiệu có tần số thấp 

B. Làm suy giảm hệ số khuếch đại 

C. Mạch phân cực trong mỗi tầng ảnh hưởng lẫn nhau

D. Tất cả đều sai

Câu 2: Trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc lập với dòng Base IB của BJT:

A. Dòng Base không chạy qua R1 và R2 

B. Dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2 

C. Chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2 

D. Tất cả đều sai

Câu 3: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng ghép biến áp giữa các tầng là:

A. Có kích thước và trọng lượng lớn 

B. Giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần số rất cao

C. Không hoàn toàn cách điện 

D. Cả A và B

Câu 4: Mạch khuếch đại Kaskode có đặc điểm:

A. Gồm hai tầng khuếch đại mắc nối tiếp: EC và BC

B. Gồm hai tầng nối tiếp: một tầng CC và BC

C. Có hệ số khuếch đại điện áp bằng hệ số khuếch đại BC

D. B và C đều đúng

Câu 5: Trong thực tế các mạch khuếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng bởi vấn đề:

A. Về độ bão hòa 

B. Về trở kháng 

C. Về độ trôi DC

D. Về hệ số khuếch đại

Câu 6: Trở kháng ra của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định:

A. Tổng trở kháng ra của mỗi tầng 

B. Tích trở kháng ra của mỗi tầng 

C. Trở kháng ra của tầng đầu tiên 

D. Trở kháng ra của tầng cuối cùng