Câu hỏi: Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ 

B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau 

C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ 

D. Cả A, B, C

Câu 1: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng ghép biến áp giữa các tầng là:

A. Có kích thước và trọng lượng lớn 

B. Giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần số rất cao

C. Không hoàn toàn cách điện 

D. Cả A và B

Câu 2: Mạch khuếch đại vi sai có đặc điểm:

A. Có hai đầu vào và hai đầu ra 

B. Mạch giảm được hiện tượng trôi đối với khuếch đại tín hiệu một chiều 

C. Nếu mạch hoàn toàn đối xứng thì mạch khử trôi hoàn toàn 

D. Cả A, B và C

Câu 3: Trở kháng ra của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định:

A. Tổng trở kháng ra của mỗi tầng 

B. Tích trở kháng ra của mỗi tầng 

C. Trở kháng ra của tầng đầu tiên 

D. Trở kháng ra của tầng cuối cùng

Câu 4: Khi vẽ sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều của mạch khuếch tín hệu nhỏ dùng transistor, ta thực hiện:

A. Ngắn mạch các tụ 

B. Giữ nguyên các nguồn cung cấp một chiều 

C. Thiết lập các nguồn cung cấp một chiều về 0V

D. Cả A và C

Câu 5: Trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc lập với dòng Base IB của BJT:

A. Dòng Base không chạy qua R1 và R2 

B. Dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2 

C. Chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2 

D. Tất cả đều sai

Câu 6: Các mạch khuếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn so với mạch khuếch đại ghép RC là chúng có thể khuếch đại:

A. Các mức tín hiệu lớn hơn 

B. Các mức tín hiệu nhỏ hơn 

C. Các tín hiệu tần số cao 

D. Các tín hiệu tần số thấp