Câu hỏi: Trở kháng ra của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định:

A. Tổng trở kháng ra của mỗi tầng 

B. Tích trở kháng ra của mỗi tầng 

C. Trở kháng ra của tầng đầu tiên 

D. Trở kháng ra của tầng cuối cùng

Câu 1: Mạch khuếch đại Darlington có đặc điểm:

A. Có trở kháng vào lớn

B. Có hệ số khuếch đại dòng điện lớn

C. Hệ số khuếch đại điện áp lớn

D. Cả A và B

Câu 2: Trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc lập với dòng Base IB của BJT:

A. Dòng Base không chạy qua R1 và R2 

B. Dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2 

C. Chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2 

D. Tất cả đều sai

Câu 3: Hệ số khuếch đại điện áp của toàn mạch khuếch đại nhiều tầng sẽ bằng với: 

A. tích hệ số khuếch đại điện áp của mỗi tầng 

B. hệ số khuếch đại điện ápcủa tầng đầu tiên 

C. tổng hệ số khuếch đại điện của mỗi tầng nếu hệ số khuếch đại tính theo đơn vị dB 

D. A và C đều đúng

Câu 4: Tại sao cần phải xác định trở kháng vào của mỗi tầng trong bộ khuếch đại nhiều tầng:

A. Do trở kháng vào của toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng 

B. Hệ số khuếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo 

C. Do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước 

D. B và C đều đúng

Câu 5: Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ 

B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau 

C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ 

D. Cả A, B, C

Câu 6: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. Không truyền đạt được tín hiệu có tần số thấp 

B. Làm suy giảm hệ số khuếch đại 

C. Mạch phân cực trong mỗi tầng ảnh hưởng lẫn nhau

D. Tất cả đều sai