Câu hỏi: Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. Các tụ ghép cho phép mạch khuếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC 

B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mỗi tầng độc lập nhau 

C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở Emitter nên làm tăng hệ số khuếch đại

D. B và C đều đúng

Câu 1: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng ghép biến áp giữa các tầng là:

A. Có kích thước và trọng lượng lớn 

B. Giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần số rất cao

C. Không hoàn toàn cách điện 

D. Cả A và B

Câu 2: Trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc lập với dòng Base IB của BJT:

A. Dòng Base không chạy qua R1 và R2 

B. Dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2 

C. Chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2 

D. Tất cả đều sai

Câu 3: Trở kháng ra của mạch khuếch đại dùng transistor được xác định khi:

A. Tín hiệu vào (vin) khác 0 

B. Tín hiệu vào vin bằng 0 

C. Tín hiệu ra vin bằng 0 

D. Cả B và C

Câu 4: Trong thực tế các mạch khuếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng bởi vấn đề:

A. Về độ bão hòa 

B. Về trở kháng 

C. Về độ trôi DC

D. Về hệ số khuếch đại

Câu 5: Mạch khuếch đại vi sai có đặc điểm:

A. Có hai đầu vào và hai đầu ra 

B. Mạch giảm được hiện tượng trôi đối với khuếch đại tín hiệu một chiều 

C. Nếu mạch hoàn toàn đối xứng thì mạch khử trôi hoàn toàn 

D. Cả A, B và C

Câu 6: Phát biểu nào sau đây là đúng, với mạch khuếch đại vi sai đảm bảo yêu cầu phải có: 

A. hệ số nén tín hiệu đồng pha lớn 

B. hệ số khuếch đại vi sai lớn

C. hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ 

D. tất cả đều đúng