Câu hỏi: Phát biểu nào sau đây là đúng, với mạch khuếch đại vi sai đảm bảo yêu cầu phải có: 

A. hệ số nén tín hiệu đồng pha lớn 

B. hệ số khuếch đại vi sai lớn

C. hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ 

D. tất cả đều đúng

Câu 1: Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. Các tụ ghép cho phép mạch khuếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC 

B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mỗi tầng độc lập nhau 

C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở Emitter nên làm tăng hệ số khuếch đại

D. B và C đều đúng

Câu 2: Hệ số khuếch đại điện áp của toàn mạch khuếch đại nhiều tầng sẽ bằng với: 

A. tích hệ số khuếch đại điện áp của mỗi tầng 

B. hệ số khuếch đại điện ápcủa tầng đầu tiên 

C. tổng hệ số khuếch đại điện của mỗi tầng nếu hệ số khuếch đại tính theo đơn vị dB 

D. A và C đều đúng

Câu 3: Khi vẽ sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều của mạch khuếch tín hệu nhỏ dùng transistor, ta thực hiện:

A. Ngắn mạch các tụ 

B. Giữ nguyên các nguồn cung cấp một chiều 

C. Thiết lập các nguồn cung cấp một chiều về 0V

D. Cả A và C

Câu 4: Bộ khuếch đại chọn lọc có đặc điểm:

A. khuếch đại tín hiệu trong một dải tần chọn lọc

B. nén tín hiệu ngoài dải tần chọn lọc 

C. tải là một mạch cộng hưởng hay mạch lọc

D. cả A, B, C

Câu 5: Tại sao cần phải xác định trở kháng vào của mỗi tầng trong bộ khuếch đại nhiều tầng:

A. Do trở kháng vào của toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng 

B. Hệ số khuếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo 

C. Do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước 

D. B và C đều đúng

Câu 6: Mạch khuếch đai vi sai như hình 21, BJT T3 đóng vai trò gì trong mạch:

A. giảm hệ số khuếch đại đồng pha

B. tăng hệ số nén tín hiệu đồng pha 

C. nguồn dòng

D. cả A,B,C