Câu hỏi: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng ghép biến áp giữa các tầng là:

A. Có kích thước và trọng lượng lớn 

B. Giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần số rất cao

C. Không hoàn toàn cách điện 

D. Cả A và B

Câu 1: Mạch khuếch đại Kaskode có đặc điểm:

A. Gồm hai tầng khuếch đại mắc nối tiếp: EC và BC

B. Gồm hai tầng nối tiếp: một tầng CC và BC

C. Có hệ số khuếch đại điện áp bằng hệ số khuếch đại BC

D. B và C đều đúng

Câu 2: Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ 

B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau 

C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ 

D. Cả A, B, C

Câu 3: Trở kháng ra của mạch khuếch đại dùng transistor được xác định khi:

A. Tín hiệu vào (vin) khác 0 

B. Tín hiệu vào vin bằng 0 

C. Tín hiệu ra vin bằng 0 

D. Cả B và C

Câu 4: Trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc lập với dòng Base IB của BJT:

A. Dòng Base không chạy qua R1 và R2 

B. Dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2 

C. Chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2 

D. Tất cả đều sai

Câu 5: Tại sao cần phải xác định trở kháng vào của mỗi tầng trong bộ khuếch đại nhiều tầng:

A. Do trở kháng vào của toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng 

B. Hệ số khuếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo 

C. Do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước 

D. B và C đều đúng

Câu 6: Mạch khuếch đai vi sai như hình 21, BJT T3 đóng vai trò gì trong mạch:

A. giảm hệ số khuếch đại đồng pha

B. tăng hệ số nén tín hiệu đồng pha 

C. nguồn dòng

D. cả A,B,C