Câu hỏi: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng ghép biến áp giữa các tầng là:

A. Có kích thước và trọng lượng lớn 

B. Giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần số rất cao

C. Không hoàn toàn cách điện 

D. Cả A và B

Câu 1: Với chế độ tĩnh, dòng IE của T1 và T2 được xác định:

A. 0mA 

B. 2.3mA 

C. 1.15mA

D. Đáp án khác 

Câu 2: Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ 

B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau 

C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ 

D. Cả A, B, C

Câu 3: Trở kháng vào của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định:

A. Tổng trở kháng vào của mỗi tầng

B. Tích trở kháng vào của mỗi tầng 

C. Trở kháng vào của tầng đầu tiên 

D. Trở kháng vào của tầng cuối cùng

Câu 4: Phát biểu nào sau đây là đúng, với mạch khuếch đại vi sai đảm bảo yêu cầu phải có: 

A. hệ số nén tín hiệu đồng pha lớn 

B. hệ số khuếch đại vi sai lớn

C. hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ 

D. tất cả đều đúng

Câu 5: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. Không truyền đạt được tín hiệu có tần số thấp 

B. Làm suy giảm hệ số khuếch đại 

C. Mạch phân cực trong mỗi tầng ảnh hưởng lẫn nhau

D. Tất cả đều sai

Câu 6: Mạch khuếch đại Darlington có đặc điểm:

A. Có trở kháng vào lớn

B. Có hệ số khuếch đại dòng điện lớn

C. Hệ số khuếch đại điện áp lớn

D. Cả A và B