Câu hỏi: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng ghép biến áp giữa các tầng là:

A. Có kích thước và trọng lượng lớn 

B. Giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần số rất cao

C. Không hoàn toàn cách điện 

D. Cả A và B

Câu 1: Trở kháng ra của mạch khuếch đại dùng transistor được xác định khi:

A. Tín hiệu vào (vin) khác 0 

B. Tín hiệu vào vin bằng 0 

C. Tín hiệu ra vin bằng 0 

D. Cả B và C

Câu 2: Mạch khuếch đai vi sai như hình 21, BJT T3 đóng vai trò gì trong mạch:

A. giảm hệ số khuếch đại đồng pha

B. tăng hệ số nén tín hiệu đồng pha 

C. nguồn dòng

D. cả A,B,C

Câu 3: Trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc lập với dòng Base IB của BJT:

A. Dòng Base không chạy qua R1 và R2 

B. Dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2 

C. Chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2 

D. Tất cả đều sai

Câu 4: Với chế độ tĩnh, dòng IE của T1 và T2 được xác định:

A. 0mA 

B. 2.3mA 

C. 1.15mA

D. Đáp án khác 

Câu 5: Hệ số khuếch đại điện áp của toàn mạch khuếch đại nhiều tầng sẽ bằng với: 

A. tích hệ số khuếch đại điện áp của mỗi tầng 

B. hệ số khuếch đại điện ápcủa tầng đầu tiên 

C. tổng hệ số khuếch đại điện của mỗi tầng nếu hệ số khuếch đại tính theo đơn vị dB 

D. A và C đều đúng

Câu 6: Phát biểu nào sau đây là đúng, với mạch khuếch đại vi sai đảm bảo yêu cầu phải có: 

A. hệ số nén tín hiệu đồng pha lớn 

B. hệ số khuếch đại vi sai lớn

C. hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ 

D. tất cả đều đúng