Câu hỏi: Hệ số khuếch đại điện áp của toàn mạch khuếch đại nhiều tầng sẽ bằng với: 

A. tích hệ số khuếch đại điện áp của mỗi tầng 

B. hệ số khuếch đại điện ápcủa tầng đầu tiên 

C. tổng hệ số khuếch đại điện của mỗi tầng nếu hệ số khuếch đại tính theo đơn vị dB 

D. A và C đều đúng

Câu 1: Tại sao cần phải xác định trở kháng vào của mỗi tầng trong bộ khuếch đại nhiều tầng:

A. Do trở kháng vào của toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng 

B. Hệ số khuếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo 

C. Do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước 

D. B và C đều đúng

Câu 2: Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ 

B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau 

C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ 

D. Cả A, B, C

Câu 3: Với chế độ tĩnh, dòng IE của T1 và T2 được xác định:

A. 0mA 

B. 2.3mA 

C. 1.15mA

D. Đáp án khác 

Câu 4: Trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc lập với dòng Base IB của BJT:

A. Dòng Base không chạy qua R1 và R2 

B. Dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2 

C. Chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2 

D. Tất cả đều sai

Câu 5: Mạch khuếch đại vi sai có đặc điểm:

A. Có hai đầu vào và hai đầu ra 

B. Mạch giảm được hiện tượng trôi đối với khuếch đại tín hiệu một chiều 

C. Nếu mạch hoàn toàn đối xứng thì mạch khử trôi hoàn toàn 

D. Cả A, B và C

Câu 6: Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. Các tụ ghép cho phép mạch khuếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC 

B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mỗi tầng độc lập nhau 

C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở Emitter nên làm tăng hệ số khuếch đại

D. B và C đều đúng