Câu hỏi: Khi vẽ sơ đồ tương đương đối với tín hiệu xoay chiều của mạch khuếch tín hệu nhỏ dùng transistor, ta thực hiện:

A. Ngắn mạch các tụ 

B. Giữ nguyên các nguồn cung cấp một chiều 

C. Thiết lập các nguồn cung cấp một chiều về 0V

D. Cả A và C

Câu 1: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng ghép biến áp giữa các tầng là:

A. Có kích thước và trọng lượng lớn 

B. Giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần số rất cao

C. Không hoàn toàn cách điện 

D. Cả A và B

Câu 2: Trở kháng vào của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định:

A. Tổng trở kháng vào của mỗi tầng

B. Tích trở kháng vào của mỗi tầng 

C. Trở kháng vào của tầng đầu tiên 

D. Trở kháng vào của tầng cuối cùng

Câu 3: Trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc lập với dòng Base IB của BJT:

A. Dòng Base không chạy qua R1 và R2 

B. Dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2 

C. Chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2 

D. Tất cả đều sai

Câu 4: Phát biểu nào sau đây là đúng, với mạch khuếch đại vi sai đảm bảo yêu cầu phải có: 

A. hệ số nén tín hiệu đồng pha lớn 

B. hệ số khuếch đại vi sai lớn

C. hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ 

D. tất cả đều đúng

Câu 5: Mạch khuếch đại vi sai có đặc điểm:

A. Có hai đầu vào và hai đầu ra 

B. Mạch giảm được hiện tượng trôi đối với khuếch đại tín hiệu một chiều 

C. Nếu mạch hoàn toàn đối xứng thì mạch khử trôi hoàn toàn 

D. Cả A, B và C

Câu 6: Trở kháng ra của toàn bộ mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định:

A. Tổng trở kháng ra của mỗi tầng 

B. Tích trở kháng ra của mỗi tầng 

C. Trở kháng ra của tầng đầu tiên 

D. Trở kháng ra của tầng cuối cùng