Câu hỏi: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. Không truyền đạt được tín hiệu có tần số thấp 

B. Làm suy giảm hệ số khuếch đại 

C. Mạch phân cực trong mỗi tầng ảnh hưởng lẫn nhau

D. Tất cả đều sai

Câu 1: Tại sao cần phải xác định trở kháng vào của mỗi tầng trong bộ khuếch đại nhiều tầng:

A. Do trở kháng vào của toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng 

B. Hệ số khuếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo 

C. Do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước 

D. B và C đều đúng

Câu 2: Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. Các tụ ghép cho phép mạch khuếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC 

B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mỗi tầng độc lập nhau 

C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở Emitter nên làm tăng hệ số khuếch đại

D. B và C đều đúng

Câu 3: Bộ khuếch đại chọn lọc có đặc điểm:

A. khuếch đại tín hiệu trong một dải tần chọn lọc

B. nén tín hiệu ngoài dải tần chọn lọc 

C. tải là một mạch cộng hưởng hay mạch lọc

D. cả A, B, C

Câu 4: Mạch khuếch đại vi sai có đặc điểm:

A. Có hai đầu vào và hai đầu ra 

B. Mạch giảm được hiện tượng trôi đối với khuếch đại tín hiệu một chiều 

C. Nếu mạch hoàn toàn đối xứng thì mạch khử trôi hoàn toàn 

D. Cả A, B và C

Câu 5: Mạch khuếch đại Darlington có đặc điểm:

A. Có trở kháng vào lớn

B. Có hệ số khuếch đại dòng điện lớn

C. Hệ số khuếch đại điện áp lớn

D. Cả A và B

Câu 6: Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ 

B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau 

C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ 

D. Cả A, B, C