Câu hỏi: Trở kháng ra của mạch khuếch đại dùng transistor được xác định khi:

A. Tín hiệu vào (vin) khác 0 

B. Tín hiệu vào vin bằng 0 

C. Tín hiệu ra vin bằng 0 

D. Cả B và C

Câu 1: Một trong những nhược điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là:

A. Không truyền đạt được tín hiệu có tần số thấp 

B. Làm suy giảm hệ số khuếch đại 

C. Mạch phân cực trong mỗi tầng ảnh hưởng lẫn nhau

D. Tất cả đều sai

Câu 2: Mạch khuếch đại Darlington có đặc điểm:

A. Có trở kháng vào lớn

B. Có hệ số khuếch đại dòng điện lớn

C. Hệ số khuếch đại điện áp lớn

D. Cả A và B

Câu 3: Phương pháp bù nhiệt để ổn định điểm làm việc trong các sơ đồ ổn định phi tuyến, người ta có thể dùng Diode và transistor (cùng loại bán dẫn) để bù nhiệt cho nhau vì:

A. Diode và transistor có tham số phụ thuộc vào nhiệt độ 

B. Đặc tính nhiệt của điện áp B-E và điện áp trên diode như nhau 

C. VBE, VD có chiều ngược nhau theo sự thay đổi của nhiệt độ 

D. Cả A, B, C

Câu 4: Các mạch khuếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn so với mạch khuếch đại ghép RC là chúng có thể khuếch đại:

A. Các mức tín hiệu lớn hơn 

B. Các mức tín hiệu nhỏ hơn 

C. Các tín hiệu tần số cao 

D. Các tín hiệu tần số thấp

Câu 5: Trong mạch phân cực phân áp ở hình, tại sao điện áp tại điểm nối R1 và R2 được xem là độc lập với dòng Base IB của BJT:

A. Dòng Base không chạy qua R1 và R2 

B. Dòng Base nhỏ so với dòng chạy qua R1 và R2 

C. Chỉ có dòng Emitter ảnh hưởng đến dòng chạy qua R1 và R2 

D. Tất cả đều sai

Câu 6: Hệ số khuếch đại điện áp của toàn mạch khuếch đại nhiều tầng sẽ bằng với: 

A. tích hệ số khuếch đại điện áp của mỗi tầng 

B. hệ số khuếch đại điện ápcủa tầng đầu tiên 

C. tổng hệ số khuếch đại điện của mỗi tầng nếu hệ số khuếch đại tính theo đơn vị dB 

D. A và C đều đúng