Câu hỏi: Trong cấu tạo của keo AgI ở câu 62, lớp khuếch tán mang điện gì:

A. Âm

B. Không mang điện

C. Dương

D. Đáp án khác

Câu 1: Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \({\varphi _{C{u^{2 + }}/Cu}}^0 = + 0,34V\)  và \({\varphi _{Z{n^{2 + }}/Zn}}^0 = - 0,763V\)

A. \(( - )CuS{O_4}(0,4M)|Cu||Zn|ZnS{O_4}(0,2M)( + )\)

B. \(( - )Cu|CuS{O_4}(0,2M)||ZnS{O_4}(0,4M)|Zn( + )\)

C. \(( - )Zn|ZnS{O_4}(0,2M)||CuS{O_4}(0,4M)|Cu( + )\)

D. \(( - )ZnS{O_4}(0,2M)|Zn||Cu|CuS{O_4}(0,4M)( + )\)

Câu 2: Chọn phát biểu đúng về Điện thế:

A. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha lỏng

B. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 pha rắn

C. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 dung dịch có nồng độ khác nhau

D. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha rắn.

Câu 3: Khi phản ứng trong pin điện hóa tự xảy ra thì:

A. ΔG = 0 = -nEF

B. ΔG < 0 = -nEF

C. ΔG > 0 = -nEF

D. ΔG ≠ 0 = -nEF

Câu 4: Độ bền vững của hệ phân tán thường được chia ra làm các loại:

A. Độ bền độ học

B. Độ bền hóa học

C. Độ bền tập hợp

D. a, b đều đúng

Câu 5: Cấu tạo của hạt keo gồm:

A. Tinh thể, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán

B. Lớp ion quyết định thế hiệu, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán

C. Tinh thể, lớp ion quyết định thế hiệu, lớp hấp phụ.

D. Nhân keo, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán.

Câu 6: Keo AgI ở câu 61 được điều chế bằng phương pháp:

A. Ngưng tụ do phản ứng trao đổi 

B. Ngưng tụ do phản ứng oxy hóa - khử 

C. Ngưng tụ do phản ứng khử

D. Ngưng tụ do phản ứng thủy phân