Câu hỏi: Khi phản ứng trong pin điện hóa tự xảy ra thì:

A. ΔG = 0 = -nEF

B. ΔG < 0 = -nEF

C. ΔG > 0 = -nEF

D. ΔG ≠ 0 = -nEF

Câu 1: Cấu tạo của keo AgI ở câu 61 có dạng:

A. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{I^ - }.(n - x){K^ + }{\rm{]}}^{x - }}.x{K^ + }\)

B. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{K^ + }.(n + x){I^ - }{\rm{]}}^{x - }}.x{I^ - }\)

C. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{K^ + }.(n - x){I^ - }{\rm{]}}^{x - }}.x{I^ - }\)

D. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{I^ - }.(n + x){K^ + }{\rm{]}}^{x - }}.x{K^ + }\)

Câu 2: Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \({\varphi _{C{u^{2 + }}/Cu}}^0 = + 0,34V\)  và \({\varphi _{Z{n^{2 + }}/Zn}}^0 = - 0,763V\)

A. \(( - )CuS{O_4}(0,4M)|Cu||Zn|ZnS{O_4}(0,2M)( + )\)

B. \(( - )Cu|CuS{O_4}(0,2M)||ZnS{O_4}(0,4M)|Zn( + )\)

C. \(( - )Zn|ZnS{O_4}(0,2M)||CuS{O_4}(0,4M)|Cu( + )\)

D. \(( - )ZnS{O_4}(0,2M)|Zn||Cu|CuS{O_4}(0,4M)( + )\)

Câu 3: Hằng số tốc độ phản ứng bậc nhất được biểu thị theo công thức: 

A. \(k = \frac{{3,203}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

B. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

C. \(k = \frac{{2,303}}{t}\ln \frac{{|{A_o}|}}{{|A|}}\)

D. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

Câu 4: Chọn câu đúng về phản ứng oxy hóa khử:

A. Trong phản ứng oxy hóa khử, quá trình oxy hóa và quá trình khử lần lượt xảy ra

B. Trong phản ứng oxy hóa khử, quá trình oxy hóa và quá trình khử cùng xảy ra đồng thời

C. Quá trình oxy hóa là quá trình nhận electron gọi là sự oxy hóa. Quá trình khử là quá trình nhường electron gọi là sự khử

D. b,c đúng.

Câu 5: Trong các chất điện li: K2SO4, BaSO4, Fe2(SO4)3. Chất có ngưỡng keo tụ nhỏ nhất đối với hệ keo ở câu 62 là:

A. K2SO4 

B. Fe2(SO4)3

C. BaSO4hau

D. a, b, c có ngưỡng keo tụ bằng nhau

Câu 6: Keo AgI ở câu 61 được điều chế bằng phương pháp:

A. Ngưng tụ do phản ứng trao đổi 

B. Ngưng tụ do phản ứng oxy hóa - khử 

C. Ngưng tụ do phản ứng khử

D. Ngưng tụ do phản ứng thủy phân