Câu hỏi: Cho 3 hệ phân tán: thô, keo và dung dịch thực. Kích thước hạt phân tán của chúng là:

A. Hệ keo < dd thực < thô 

B. Thô < hệ keo < dd thực 

C. dd thực < hệ keo < thô 

D. Hệ keo < thô < dd thực

Câu 1: Thế Helmholtz là thế được tạo:

A. Do điện thế trên bề mặt nhân và lớp khuếch tán

B. Do điện thế lớp ion đối và lớp khuếch tán

C. Do lớp tạo thế hiệu và lớp ion đối

D. Do tạo thế hiệu và ion của môi trường

Câu 2: Phương trình hấp thụ Langmuir chỉ áp dụng cho:

A. Hấp thụ đơn lớp

B. Hấp thụ tỏa nhiệt

C. Hấp thụ đa lớp

D. Tất cả đúng

Câu 3: Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \({\varphi _{C{u^{2 + }}/Cu}}^0 = + 0,34V\)  và \({\varphi _{Z{n^{2 + }}/Zn}}^0 = - 0,763V\)

A. \(( - )CuS{O_4}(0,4M)|Cu||Zn|ZnS{O_4}(0,2M)( + )\)

B. \(( - )Cu|CuS{O_4}(0,2M)||ZnS{O_4}(0,4M)|Zn( + )\)

C. \(( - )Zn|ZnS{O_4}(0,2M)||CuS{O_4}(0,4M)|Cu( + )\)

D. \(( - )ZnS{O_4}(0,2M)|Zn||Cu|CuS{O_4}(0,4M)( + )\)

Câu 4: Chọn phát biểu đúng về phản ứng đồng thể:

A. Phản ứng đồng thể là phản ứng có các chất tham gia phản ứng không ở cùng pha với nhau, còn phản ứng dị thể là phản ứng nhiều pha

B. Phản ứng đồng thể là phản ứng có các chất tham gia phản ứng ở cùng pha với nhau, còn phản ứng dị thể là phản ứng có các chất khác pha với nhau

C. Khi phản ứng xảy ra trong điều kiện đẳng tích và đẳng nhiệt thì biến thiên nồng độ 1 chất bất kỳ tham gia phản ứng trong một đơn vị thời gian được gọi là tốc độ phản ứng

D. a, b, c đúng

Câu 5: Cấu tạo của keo AgI ở câu 61 có dạng:

A. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{I^ - }.(n - x){K^ + }{\rm{]}}^{x - }}.x{K^ + }\)

B. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{K^ + }.(n + x){I^ - }{\rm{]}}^{x - }}.x{I^ - }\)

C. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{K^ + }.(n - x){I^ - }{\rm{]}}^{x - }}.x{I^ - }\)

D. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{I^ - }.(n + x){K^ + }{\rm{]}}^{x - }}.x{K^ + }\)

Câu 6: Cho phản ứng: \(3Ni + 2F{e^{3 + }} \to 2Fe + 3N{i^{2 + }}\)  . Tìm φo của Ni 2+/Ni. Biết E0 của pin là +0,194V và φ0 của Fe3+/Fe là -0,036V:

A. +0,158 V

B. -0,158 V 

C. - 0,230 V 

D. + 0,266 V