Câu hỏi: Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \({\varphi _{C{u^{2 + }}/Cu}}^0 = + 0,34V\)  và \({\varphi _{Z{n^{2 + }}/Zn}}^0 = - 0,763V\)

A. \(( - )CuS{O_4}(0,4M)|Cu||Zn|ZnS{O_4}(0,2M)( + )\)

B. \(( - )Cu|CuS{O_4}(0,2M)||ZnS{O_4}(0,4M)|Zn( + )\)

C. \(( - )Zn|ZnS{O_4}(0,2M)||CuS{O_4}(0,4M)|Cu( + )\)

D. \(( - )ZnS{O_4}(0,2M)|Zn||Cu|CuS{O_4}(0,4M)( + )\)

Câu 1: Trong các chất điện li: K2SO4, BaSO4, Fe2(SO4)3. Chất có ngưỡng keo tụ nhỏ nhất đối với hệ keo ở câu 62 là:

A. K2SO4 

B. Fe2(SO4)3

C. BaSO4hau

D. a, b, c có ngưỡng keo tụ bằng nhau

Câu 2: Cấu tạo của keo AgI ở câu 61 có dạng:

A. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{I^ - }.(n - x){K^ + }{\rm{]}}^{x - }}.x{K^ + }\)

B. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{K^ + }.(n + x){I^ - }{\rm{]}}^{x - }}.x{I^ - }\)

C. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{K^ + }.(n - x){I^ - }{\rm{]}}^{x - }}.x{I^ - }\)

D. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{I^ - }.(n + x){K^ + }{\rm{]}}^{x - }}.x{K^ + }\)

Câu 3: Độ bền vững của hệ phân tán thường được chia ra làm các loại:

A. Độ bền độ học

B. Độ bền hóa học

C. Độ bền tập hợp

D. a, b đều đúng

Câu 4: Cho phản ứng: \(3Ni + 2F{e^{3 + }} \to 2Fe + 3N{i^{2 + }}\)  . Tìm φo của Ni 2+/Ni. Biết E0 của pin là +0,194V và φ0 của Fe3+/Fe là -0,036V:

A. +0,158 V

B. -0,158 V 

C. - 0,230 V 

D. + 0,266 V

Câu 5: Keo AgI ở câu 61 được điều chế bằng phương pháp:

A. Ngưng tụ do phản ứng trao đổi 

B. Ngưng tụ do phản ứng oxy hóa - khử 

C. Ngưng tụ do phản ứng khử

D. Ngưng tụ do phản ứng thủy phân

Câu 6: Theo tính chất của hệ phân tán keo thì gelatin có tính chất nào sau đây:

A. Hệ keo thân nước

B. Hệ keo sơ nước và thuận nghịch

C. Hệ keo sơ nước

D. Hệ keo thân nước và thuận nghịch.