Câu hỏi: Thế Helmholtz là thế được tạo:

A. Do điện thế trên bề mặt nhân và lớp khuếch tán

B. Do điện thế lớp ion đối và lớp khuếch tán

C. Do lớp tạo thế hiệu và lớp ion đối

D. Do tạo thế hiệu và ion của môi trường

Câu 1: Cho phản ứng: \(3Ni + 2F{e^{3 + }} \to 2Fe + 3N{i^{2 + }}\)  . Tìm φo của Ni 2+/Ni. Biết E0 của pin là +0,194V và φ0 của Fe3+/Fe là -0,036V:

A. +0,158 V

B. -0,158 V 

C. - 0,230 V 

D. + 0,266 V

Câu 2: Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \({\varphi _{C{u^{2 + }}/Cu}}^0 = + 0,34V\)  và \({\varphi _{Z{n^{2 + }}/Zn}}^0 = - 0,763V\)

A. \(( - )CuS{O_4}(0,4M)|Cu||Zn|ZnS{O_4}(0,2M)( + )\)

B. \(( - )Cu|CuS{O_4}(0,2M)||ZnS{O_4}(0,4M)|Zn( + )\)

C. \(( - )Zn|ZnS{O_4}(0,2M)||CuS{O_4}(0,4M)|Cu( + )\)

D. \(( - )ZnS{O_4}(0,2M)|Zn||Cu|CuS{O_4}(0,4M)( + )\)

Câu 3: Khi đặt hệ keo ở câu 61 vào 1 điện trường thì lớp khuếch tán sẽ di chuyển vào cực nào?

A. Âm

B. Dương

C. Không di chuyển 

D. a, b, c đều sai.

Câu 4: Hằng số tốc độ phản ứng bậc nhất được biểu thị theo công thức: 

A. \(k = \frac{{3,203}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

B. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

C. \(k = \frac{{2,303}}{t}\ln \frac{{|{A_o}|}}{{|A|}}\)

D. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

Câu 5: Keo AgI ở câu 61 được điều chế bằng phương pháp:

A. Ngưng tụ do phản ứng trao đổi 

B. Ngưng tụ do phản ứng oxy hóa - khử 

C. Ngưng tụ do phản ứng khử

D. Ngưng tụ do phản ứng thủy phân

Câu 6: Phản ứng xảy ra trên điện cực Calomel: 

A. \(H{g_2}C{l_2} + 2e = 2Hg + 2C{l^ - }\)

B. \(H{g_2}C{l_2} + 2e = Hg + C{l^ - }\)

C. \(H{g_2}C{l_2} + 2e = Hg + 2C{l^ - }\)

D. \(H{g_2}C{l_2} + 2e = 2Hg + C{l^ - }\)