Câu hỏi: Cấu tạo của hạt keo gồm:

A. Tinh thể, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán

B. Lớp ion quyết định thế hiệu, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán

C. Tinh thể, lớp ion quyết định thế hiệu, lớp hấp phụ.

D. Nhân keo, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán.

Câu 1: Cấu tạo của keo AgI ở câu 61 có dạng:

A. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{I^ - }.(n - x){K^ + }{\rm{]}}^{x - }}.x{K^ + }\)

B. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{K^ + }.(n + x){I^ - }{\rm{]}}^{x - }}.x{I^ - }\)

C. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{K^ + }.(n - x){I^ - }{\rm{]}}^{x - }}.x{I^ - }\)

D. \({{\rm{[}}m(AgI)n.{I^ - }.(n + x){K^ + }{\rm{]}}^{x - }}.x{K^ + }\)

Câu 2: Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \({\varphi _{C{u^{2 + }}/Cu}}^0 = + 0,34V\)  và \({\varphi _{Z{n^{2 + }}/Zn}}^0 = - 0,763V\)

A. \(( - )CuS{O_4}(0,4M)|Cu||Zn|ZnS{O_4}(0,2M)( + )\)

B. \(( - )Cu|CuS{O_4}(0,2M)||ZnS{O_4}(0,4M)|Zn( + )\)

C. \(( - )Zn|ZnS{O_4}(0,2M)||CuS{O_4}(0,4M)|Cu( + )\)

D. \(( - )ZnS{O_4}(0,2M)|Zn||Cu|CuS{O_4}(0,4M)( + )\)

Câu 3: Chọn phát biểu đúng về Điện thế:

A. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha lỏng

B. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 pha rắn

C. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 dung dịch có nồng độ khác nhau

D. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha rắn.

Câu 4: Theo tính chất của hệ phân tán keo thì gelatin có tính chất nào sau đây:

A. Hệ keo thân nước

B. Hệ keo sơ nước và thuận nghịch

C. Hệ keo sơ nước

D. Hệ keo thân nước và thuận nghịch.

Câu 5: Phương trình hấp thụ Langmuir chỉ áp dụng cho:

A. Hấp thụ đơn lớp

B. Hấp thụ tỏa nhiệt

C. Hấp thụ đa lớp

D. Tất cả đúng

Câu 6: Trong các chất điện li: K2SO4, BaSO4, Fe2(SO4)3. Chất có ngưỡng keo tụ nhỏ nhất đối với hệ keo ở câu 62 là:

A. K2SO4 

B. Fe2(SO4)3

C. BaSO4hau

D. a, b, c có ngưỡng keo tụ bằng nhau