Câu hỏi: Cấu tạo của hạt keo gồm:

A. Tinh thể, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán

B. Lớp ion quyết định thế hiệu, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán

C. Tinh thể, lớp ion quyết định thế hiệu, lớp hấp phụ.

D. Nhân keo, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán.

Câu 1: Cho phản ứng: \(3Ni + 2F{e^{3 + }} \to 2Fe + 3N{i^{2 + }}\)  . Tìm φo của Ni 2+/Ni. Biết E0 của pin là +0,194V và φ0 của Fe3+/Fe là -0,036V:

A. +0,158 V

B. -0,158 V 

C. - 0,230 V 

D. + 0,266 V

Câu 2: Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \({\varphi _{C{u^{2 + }}/Cu}}^0 = + 0,34V\)  và \({\varphi _{Z{n^{2 + }}/Zn}}^0 = - 0,763V\)

A. \(( - )CuS{O_4}(0,4M)|Cu||Zn|ZnS{O_4}(0,2M)( + )\)

B. \(( - )Cu|CuS{O_4}(0,2M)||ZnS{O_4}(0,4M)|Zn( + )\)

C. \(( - )Zn|ZnS{O_4}(0,2M)||CuS{O_4}(0,4M)|Cu( + )\)

D. \(( - )ZnS{O_4}(0,2M)|Zn||Cu|CuS{O_4}(0,4M)( + )\)

Câu 3: Trong các chất điện li: K2SO4, BaSO4, Fe2(SO4)3. Chất có ngưỡng keo tụ nhỏ nhất đối với hệ keo ở câu 62 là:

A. K2SO4 

B. Fe2(SO4)3

C. BaSO4hau

D. a, b, c có ngưỡng keo tụ bằng nhau

Câu 4: Chọn phát biểu đúng về Điện thế:

A. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha lỏng

B. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 pha rắn

C. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 dung dịch có nồng độ khác nhau

D. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha rắn.

Câu 5: Hằng số tốc độ phản ứng bậc nhất được biểu thị theo công thức: 

A. \(k = \frac{{3,203}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

B. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

C. \(k = \frac{{2,303}}{t}\ln \frac{{|{A_o}|}}{{|A|}}\)

D. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

Câu 6: Cho: \(Zn + 2F{e^{3 + }} = Z{n^{2 + }} + 2F{e^{2 + }}\)

A. \(F{e^{3 + }}\)  là chất oxy hóa và \(F{e^{3 + }} + e \to F{e^{2 + }}\)   là sự khử

B. \(F{e^{3 + }}\)  là chất oxy hóa và \(F{e^{3 + }} + e \to F{e^{2 + }}\)  là sự oxy hóa

C. \(F{e^{3 + }}\)   là chất khử và \(F{e^{3 + }} + e \to F{e^{2 + }}\)  là sự khử

D.  b, c đều đúng