Câu hỏi: Hằng số tốc độ phản ứng bậc nhất được biểu thị theo công thức: 

A. \(k = \frac{{3,203}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

B. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

C. \(k = \frac{{2,303}}{t}\ln \frac{{|{A_o}|}}{{|A|}}\)

D. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

Câu 1: Keo AgI ở câu 61 được điều chế bằng phương pháp:

A. Ngưng tụ do phản ứng trao đổi 

B. Ngưng tụ do phản ứng oxy hóa - khử 

C. Ngưng tụ do phản ứng khử

D. Ngưng tụ do phản ứng thủy phân

Câu 2: Độ bền vững của hệ phân tán thường được chia ra làm các loại:

A. Độ bền độ học

B. Độ bền hóa học

C. Độ bền tập hợp

D. a, b đều đúng

Câu 3: Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \({\varphi _{C{u^{2 + }}/Cu}}^0 = + 0,34V\)  và \({\varphi _{Z{n^{2 + }}/Zn}}^0 = - 0,763V\)

A. \(( - )CuS{O_4}(0,4M)|Cu||Zn|ZnS{O_4}(0,2M)( + )\)

B. \(( - )Cu|CuS{O_4}(0,2M)||ZnS{O_4}(0,4M)|Zn( + )\)

C. \(( - )Zn|ZnS{O_4}(0,2M)||CuS{O_4}(0,4M)|Cu( + )\)

D. \(( - )ZnS{O_4}(0,2M)|Zn||Cu|CuS{O_4}(0,4M)( + )\)

Câu 4: Cấu tạo của hạt keo gồm:

A. Tinh thể, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán

B. Lớp ion quyết định thế hiệu, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán

C. Tinh thể, lớp ion quyết định thế hiệu, lớp hấp phụ.

D. Nhân keo, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán.

Câu 5: Khi phản ứng trong pin điện hóa tự xảy ra thì:

A. ΔG = 0 = -nEF

B. ΔG < 0 = -nEF

C. ΔG > 0 = -nEF

D. ΔG ≠ 0 = -nEF

Câu 6: Cho: \(Zn + 2F{e^{3 + }} = Z{n^{2 + }} + 2F{e^{2 + }}\)

A. \(F{e^{3 + }}\)  là chất oxy hóa và \(F{e^{3 + }} + e \to F{e^{2 + }}\)   là sự khử

B. \(F{e^{3 + }}\)  là chất oxy hóa và \(F{e^{3 + }} + e \to F{e^{2 + }}\)  là sự oxy hóa

C. \(F{e^{3 + }}\)   là chất khử và \(F{e^{3 + }} + e \to F{e^{2 + }}\)  là sự khử

D.  b, c đều đúng