Câu hỏi: Hằng số tốc độ phản ứng bậc nhất được biểu thị theo công thức: 

A. \(k = \frac{{3,203}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

B. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

C. \(k = \frac{{2,303}}{t}\ln \frac{{|{A_o}|}}{{|A|}}\)

D. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

Câu 1: Phương trình hấp thụ Langmuir chỉ áp dụng cho:

A. Hấp thụ đơn lớp

B. Hấp thụ tỏa nhiệt

C. Hấp thụ đa lớp

D. Tất cả đúng

Câu 2: Khi đặt hệ keo ở câu 61 vào 1 điện trường thì lớp khuếch tán sẽ di chuyển vào cực nào?

A. Âm

B. Dương

C. Không di chuyển 

D. a, b, c đều sai.

Câu 3: Cho phản ứng: \(3Ni + 2F{e^{3 + }} \to 2Fe + 3N{i^{2 + }}\)  . Tìm φo của Ni 2+/Ni. Biết E0 của pin là +0,194V và φ0 của Fe3+/Fe là -0,036V:

A. +0,158 V

B. -0,158 V 

C. - 0,230 V 

D. + 0,266 V

Câu 4: Khi phản ứng trong pin điện hóa tự xảy ra thì:

A. ΔG = 0 = -nEF

B. ΔG < 0 = -nEF

C. ΔG > 0 = -nEF

D. ΔG ≠ 0 = -nEF

Câu 5: Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \({\varphi _{C{u^{2 + }}/Cu}}^0 = + 0,34V\)  và \({\varphi _{Z{n^{2 + }}/Zn}}^0 = - 0,763V\)

A. \(( - )CuS{O_4}(0,4M)|Cu||Zn|ZnS{O_4}(0,2M)( + )\)

B. \(( - )Cu|CuS{O_4}(0,2M)||ZnS{O_4}(0,4M)|Zn( + )\)

C. \(( - )Zn|ZnS{O_4}(0,2M)||CuS{O_4}(0,4M)|Cu( + )\)

D. \(( - )ZnS{O_4}(0,2M)|Zn||Cu|CuS{O_4}(0,4M)( + )\)

Câu 6: Chọn câu đúng về phản ứng oxy hóa khử:

A. Trong phản ứng oxy hóa khử, quá trình oxy hóa và quá trình khử lần lượt xảy ra

B. Trong phản ứng oxy hóa khử, quá trình oxy hóa và quá trình khử cùng xảy ra đồng thời

C. Quá trình oxy hóa là quá trình nhận electron gọi là sự oxy hóa. Quá trình khử là quá trình nhường electron gọi là sự khử

D. b,c đúng.