Câu hỏi: Hằng số tốc độ phản ứng bậc nhất được biểu thị theo công thức: 

A. \(k = \frac{{3,203}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

B. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

C. \(k = \frac{{2,303}}{t}\ln \frac{{|{A_o}|}}{{|A|}}\)

D. \(k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{|A|}}{{|{A_o}|}}\)

Câu 1: Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \({\varphi _{C{u^{2 + }}/Cu}}^0 = + 0,34V\)  và \({\varphi _{Z{n^{2 + }}/Zn}}^0 = - 0,763V\)

A. \(( - )CuS{O_4}(0,4M)|Cu||Zn|ZnS{O_4}(0,2M)( + )\)

B. \(( - )Cu|CuS{O_4}(0,2M)||ZnS{O_4}(0,4M)|Zn( + )\)

C. \(( - )Zn|ZnS{O_4}(0,2M)||CuS{O_4}(0,4M)|Cu( + )\)

D. \(( - )ZnS{O_4}(0,2M)|Zn||Cu|CuS{O_4}(0,4M)( + )\)

Câu 2: Trong cấu tạo của keo AgI ở câu 62, lớp khuếch tán mang điện gì:

A. Âm

B. Không mang điện

C. Dương

D. Đáp án khác

Câu 3: Chọn câu đúng về phản ứng oxy hóa khử:

A. Trong phản ứng oxy hóa khử, quá trình oxy hóa và quá trình khử lần lượt xảy ra

B. Trong phản ứng oxy hóa khử, quá trình oxy hóa và quá trình khử cùng xảy ra đồng thời

C. Quá trình oxy hóa là quá trình nhận electron gọi là sự oxy hóa. Quá trình khử là quá trình nhường electron gọi là sự khử

D. b,c đúng.

Câu 4: Trong các chất điện li: K2SO4, BaSO4, Fe2(SO4)3. Chất có ngưỡng keo tụ nhỏ nhất đối với hệ keo ở câu 62 là:

A. K2SO4 

B. Fe2(SO4)3

C. BaSO4hau

D. a, b, c có ngưỡng keo tụ bằng nhau

Câu 5: Thế Helmholtz là thế được tạo:

A. Do điện thế trên bề mặt nhân và lớp khuếch tán

B. Do điện thế lớp ion đối và lớp khuếch tán

C. Do lớp tạo thế hiệu và lớp ion đối

D. Do tạo thế hiệu và ion của môi trường

Câu 6: Chọn phát biểu đúng về Điện thế:

A. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha lỏng

B. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 pha rắn

C. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 dung dịch có nồng độ khác nhau

D. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha rắn.