Câu hỏi:

Tín hiệu vào của bộ chuyển đổi D/A:

A. Tín hiệu liên tục

B. Tín hiệu số

C. Sóng  sin

D. Xung vuông

Câu 1:

Định nghĩa độ dự trữ ổn định:

A. Khoảng cách từ trục thực đến nghiệm cực gần nhất (nghiệm thực hoặc phức) được gọi là độ dự trữ ổn định của hệ

B. Khoảng cách từ trục ảo đến nghiệm cực gần nhất (nghiệm thực hoặc phức) được gọi là độ dự trữ ổn định của hệ

C. Khoảng cách từ trục hoành (ox) đến nghiệm gần nhất (chỉ nghiệm thực) được gọi là độ dự trữ ổn định của hệ

D. Khoảng cách từ trục tung (Oy) đến nghiệm cực gần nhất (chỉ nghiệm phức) được gọi là độ dự trữ ổn định của hệ

Câu 2:

Khâu vi phân lý tưởng có hàm truyền G(s) = s:

A. M(ω)= ω ;  φ(ω)=90o

B. M(ω)= 20lg(ω) ;  φ(ω)= -90o

C. M(ω)= 1/ω ;  φ(ω)=90o

D. M(ω)= -20lg(ω) ;  φ(ω)= 90o

Câu 3:

Hệ thống có quỹ đạo nghiệm số như hình vẽ: 

A. Hệ thống không ổn định

B. Hệ thống có 2 nghiệm cực và 1 zero

C. Hệ thống có 3 nghiệm cực

D. Hệ thống có 3 nghiệm cực và 1 zero

Câu 4:

Hàm truyền của hiệu chỉnh tích phân tỉ lệ PI(proportional integral) liên tục có dạng:

A. \({G_C}(s) = {K_p} + {K_I}s\)

B. \({G_C}(s) = {K_p}s + {K_I}\)

C. \({G_C}(s) = {K_p} + \frac{{{K_I}}}{s}\)

D. \({G_C}(s) = {K_p} - {K_I}s\)

Câu 5:

Hàm truyền \(G(s) = \frac{{C(s)}}{{R(s)}}\)  của hệ thống ở hình  là

A. \(\frac{{{G_1}{G_3} + {G_2}G{}_3}}{{1 + {G_1}{G_3} + {G_2}G{}_3}}\)

B. \(\frac{{{G_1}{G_3} + {G_2}G{}_3}}{{1 + {G_1}{G_3} - {G_2}G{}_3}}\)

C. \(\frac{{{G_1}{G_3} - {G_2}G{}_3}}{{1 + {G_1}{G_3} + {G_2}G{}_3}}\)

D. \(\frac{{{G_1} + {G_2}}}{{1 - {G_1}{G_3} - {G_2}G{}_3}}\)

Câu 6:

Bộ bù trễ pha được sử dụng khi:

A. Muốn giảm sai số xác lập của hệ thống

B. Muốn tăng sai số xác lập của hệ thống

C. Muốn tăng thời gian đáp ứng quá độ của hệ thống

D. Tín hiệu vào của hệ thống là hàm nấc đơn vị