Câu hỏi: Phương pháp vào ra dữ liệu kiểu truy nhập trực tiếp bộ nhớ

A. Là phương pháp thường được áp dụng khi vào ra dữ liệu với đĩa từ

B. Do thiết bị ngoại vi chủ động khởi động quá trình vào ra và CPU điều khiển quá trình vào ra

C. Là phương pháp vào ra dữ liệu bằng chương trình và do thiết bị DMAC điều khiển

D. Có tốc độ truy xuất dữ liệu cao hơn và độ tin cậy thấp hơn phương pháp vào ra có thăm dò và theo ngắt cứng

Câu 1: Trong cơ chế quản lý bộ nhớ theo phân trang để xác định được địa chỉ vật lý của ô nhớ cần dựa vào

A. Địa chỉ tuyến tính của ô nhớ

B. Địa chỉ logic của ô nhớ

C. Địa chỉ tuyến tính, các thanh ghi điều khiển, vị trí thư mục trang, vị trí bảng trang, vị trí trang

D. Địa chỉ tuyến tính, nội dung của CR3

Câu 2: Chuẩn RS-232 quy định

A. kích thước cáp nối giữa DTE và DCE là 20 mét

B. mức tín hiệu là 25V

C. sử dụng loại đầu nối 9 chân DB9

D. phương pháp truyền dữ liệu là không đồng bộ về pha

Câu 3: Trong chế độ bảo vệ theo cơ chế phân trang, cấu trúc của hệ thống quản lý trang gồm các phần:

A. Thư mục trang, bảng trang và trang

B. Thư mục trang, lối vào thư mục trang, bảng trang, lối vào bảng trang và trang

C. Lối vào thư mục trang PDE, lối vào bảng trang PTE và trang

D. Thư mục trang, lối vào thư mục trang, bảng trang, lối vào bảng trang

Câu 4: Trong mô hình tổ chức bộ nhớ theo phân cấp thì

A. DRAM chiếm phần dung lượng lớn nhất

B. Cache chiếm dung lượng lớn hơn DRAM

C. Bộ nhớ thứ cấp chiếm dung lượng lớn nhất

D. DRAM và bộ nhớ thứ cấp chiếm dung lượng bằng nhau

Câu 5: Ngắt cứng là

A. Sự ngắt quãng làm việc đột ngột của CPU do trục trặc về phần cứng

B. Sự kiện CPU tạm dừng tiến trình đang thực hiện để chuyển sang thực hiện quá trình phục vụ ngắt

C. Sự ngắt quãng làm việc luân phiên của các thiết bị để tránh tình trạng phải làm việc trong khoảng thời gian dài liên tục

D. Sự kiện CPU bị tạm dừng tiến trình đang thực hiện để chuyển sang thực hiện quá trình phục vụ ngắt

Câu 6: Trong mô hình tổ chức bộ nhớ theo phân cấp sự xuất hiện của bộ nhớ cache với mục đích chính là:

A. Giảm thời gian trung bình truy nhập bộ nhớ

B. Tăng khả năng lưu trữ của hệ thống nhớ

C. Giảm thời gian trung bình truy nhập bộ nhớ và tăng khả năng lưu trữ của hệ thống nhớ

D. Giảm tải cho bộ nhớ DRAM