Câu hỏi: Khi thực hiện vào/ra dữ liệu theo kiểu DMA thiết bị vào/ra liên lạc với DMAC qua tín hiệu:

A. DRQ

B. DRQ và HOLD

C. DACK và HOLD

D. DRQ và DACK

Câu 1: Trong mô hình tổ chức bộ nhớ theo phân cấp, tỷ lệ quy chiếu “trúng” cache là:

A. 100%

B. Nhỏ hơn 50%

C. Rất cao

D. Rất thấp

Câu 2: Ngắt cứng là

A. Sự ngắt quãng làm việc đột ngột của CPU do trục trặc về phần cứng

B. Sự kiện CPU tạm dừng tiến trình đang thực hiện để chuyển sang thực hiện quá trình phục vụ ngắt

C. Sự ngắt quãng làm việc luân phiên của các thiết bị để tránh tình trạng phải làm việc trong khoảng thời gian dài liên tục

D. Sự kiện CPU bị tạm dừng tiến trình đang thực hiện để chuyển sang thực hiện quá trình phục vụ ngắt

Câu 3: Trong chế độ bảo vệ theo cơ chế quản lý bộ nhớ phân trang giả sử địa chỉ tuyến tính 32 bit có giá trị 567A9541h, và nội dung của PTE tương ứng là 56788123h thì địa chỉ vật lý của ô nhớ cần truy nhập là

A. 567A8123h

B. 56788541h

C. 95415678h

D. 56789541h

Câu 4: Phương pháp vào/ra dữ liệu có thăm dò

A. Có độ tin cậy cao hơn phương pháp vào ra theo định trình và phương pháp vào/ ra theo ngắt cứng do CPU có thăm dò trạng thái sẵn sàng của thiết bị

B. Là phương pháp vào ra dữ liệu do thiết bị vào ra chủ động khởi động quá trình vào ra

C. Là phương pháp có tốc độ vào/ra dữ liệu chậm do phải kiểm soát trạng thái làm việc của CPU

D. Phương pháp vào ra mà quá trình vào ra dữ liệu chỉ thực sự được thực hiện sau khi CPU đã thăm dò trạng thái sẵn sàng của thiết bị

Câu 5: Ưu điểm nổi trội của phương pháp vào/ra dữ liệu theo kiểu DMA là

A. Độ tin cậy cao

B. Tốc độ trao đổi dữ liệu cao(1)

C. Lượng dữ liệu trao đổi mỗi lần lớn(2)

D. Kết hợp cả hai phương án (1) và (2)

Câu 6: Cơ sở để tổ chức bộ nhớ phân cấp là

A. Tại một thời điểm CPU chỉ truy xuất dữ liệu nằm trong một vùng nhớ có kích thước nhỏ

B. Trong thời khoảng xác định CPU chỉ truy xuất dữ liệu nằm trong một vùng nhớ có kích thước nhỏ

C. CPU chỉ cần truy xuất dữ liệu nằm trong vùng nhớ có kích thước nhỏ khi thực hiện lệnh trong chương trình

D. Kỹ thuật điện tử bán dẫn và công nghệ chế tạo bộ nhớ phát triển