Câu hỏi: Khi truy nhập khối Cache với Cache có 4 khối và bus địa chỉ 24 bit thì bộ điều khiển bộ nhớ sẽ tách

A. 4 bit đia chỉ để xác định vị trí khối cache trong bộ nhớ cache

B. 2 bit địa chỉ đưa vào thanh ghi địa chỉ  bộ nhớ MAR

C. các bit địa chỉ A1A0 đưa vào thanh ghi địa chỉ bộ nhớ MAR

D. 22 bit để xác định số hiệu thẻ của khối cache cần truy nhập

Câu 1: Trong chế độ bảo vệ theo cơ chế quản lý bộ nhớ phân trang giả sử địa chỉ tuyến tính 32 bit có giá trị 567A9541h, và nội dung của PTE tương ứng là 56788123h thì địa chỉ vật lý của ô nhớ cần truy nhập là

A. 567A8123h

B. 56788541h

C. 95415678h

D. 56789541h

Câu 2: Cơ sở để tổ chức bộ nhớ phân cấp là

A. Tại một thời điểm CPU chỉ truy xuất dữ liệu nằm trong một vùng nhớ có kích thước nhỏ

B. Trong thời khoảng xác định CPU chỉ truy xuất dữ liệu nằm trong một vùng nhớ có kích thước nhỏ

C. CPU chỉ cần truy xuất dữ liệu nằm trong vùng nhớ có kích thước nhỏ khi thực hiện lệnh trong chương trình

D. Kỹ thuật điện tử bán dẫn và công nghệ chế tạo bộ nhớ phát triển

Câu 3: Phương pháp vào ra dữ liệu kiểu truy nhập trực tiếp bộ nhớ

A. Là phương pháp thường được áp dụng khi vào ra dữ liệu với đĩa từ

B. Do thiết bị ngoại vi chủ động khởi động quá trình vào ra và CPU điều khiển quá trình vào ra

C. Là phương pháp vào ra dữ liệu bằng chương trình và do thiết bị DMAC điều khiển

D. Có tốc độ truy xuất dữ liệu cao hơn và độ tin cậy thấp hơn phương pháp vào ra có thăm dò và theo ngắt cứng

Câu 4: Phương pháp vào ra theo thăm dò có ưu điểm là:

A. Tốc độ vào/ra dữ liệu cao

B. Tăng hiệu quả làm việc của CPU

C. Có độ tin cậy cao

D. Chi phí thấp

Câu 5: Về mặt logic một khối trong bộ nhớ cache

A. Chỉ chứa dữ liệu

B. Chứa số hiệu thẻ, bit cờ và khối dữ liệu

C. Chứa khối dữ liệu và bit cờ

D. Chứa địa chỉ của các ô nhớ có dữ liệu hay được sử dụng

Câu 6: Trong mô hình tổ chức bộ nhớ theo phân cấp sự xuất hiện của bộ nhớ cache với mục đích chính là:

A. Giảm thời gian trung bình truy nhập bộ nhớ

B. Tăng khả năng lưu trữ của hệ thống nhớ

C. Giảm thời gian trung bình truy nhập bộ nhớ và tăng khả năng lưu trữ của hệ thống nhớ

D. Giảm tải cho bộ nhớ DRAM