Câu hỏi: Khi áp dụng kỹ thuật ghi xuyên trong thao tác ghi bộ nhớ thì

A. Thời gian ghi bộ nhớ giảm

B. Thời gian ghi bộ nhớ tăng

C. Cần phải sử dụng bit cờ trong khối cache

D. Nội dung bộ nhớ chính có thể thay đổi

Câu 1: Trong mô hình tổ chức bộ nhớ theo phân cấp thì

A. DRAM chiếm phần dung lượng lớn nhất

B. Cache chiếm dung lượng lớn hơn DRAM

C. Bộ nhớ thứ cấp chiếm dung lượng lớn nhất

D. DRAM và bộ nhớ thứ cấp chiếm dung lượng bằng nhau

Câu 2: Địa chỉ vật lý của ô nhớ cần truy nhập trong chế độ bảo vệ theo cơ chế phân trang với CPU 32 bit được xác định

A. Từ địa chỉ nền của trang và địa chỉ offset

B. Bằng cách kết hợp 20 bit cao của địa chỉ nền trang và  12 bit thấp là địa chỉ offset

C. Bằng cách kết hợp 20 bit cao của địa chỉ nền trang và các bits A11-A0 của địa chỉ tuyến tính

D. Từ thông tin lối vào bảng trang PTE và địa chỉ tuyến tính

Câu 3: Ngắt cứng là

A. Sự ngắt quãng làm việc đột ngột của CPU do trục trặc về phần cứng

B. Sự kiện CPU tạm dừng tiến trình đang thực hiện để chuyển sang thực hiện quá trình phục vụ ngắt

C. Sự ngắt quãng làm việc luân phiên của các thiết bị để tránh tình trạng phải làm việc trong khoảng thời gian dài liên tục

D. Sự kiện CPU bị tạm dừng tiến trình đang thực hiện để chuyển sang thực hiện quá trình phục vụ ngắt

Câu 4: Về mặt logic một khối trong bộ nhớ cache

A. Chỉ chứa dữ liệu

B. Chứa số hiệu thẻ, bit cờ và khối dữ liệu

C. Chứa khối dữ liệu và bit cờ

D. Chứa địa chỉ của các ô nhớ có dữ liệu hay được sử dụng

Câu 5: Trong máy vi tính DMAC8237

A. Nhận các yêu cầu DRQi từ thiết bị và gửi tín hiệu DACK tới thiết bị

B. Gửi tín hiệu HOLD tới CPU và nhận tín hiệu trả lời HLDA

C. Nhận tín hiệu yêu cầu DRQi và điều khiển quá trình vào ra trực tiếp giữa bộ nhớ và thiết bị ngoại vi sau khi nhận được tín hiệu HLDA

D. Hỗ trợ CPU thực hiện quá trình vào ra dữ liệu trực tiếp giữa bộ nhớ và CPU khi có tín hiệu DRQi

Câu 6: Trong cơ chế quản lý bộ nhớ theo phân trang để xác định được địa chỉ vật lý của ô nhớ cần dựa vào

A. Địa chỉ tuyến tính của ô nhớ

B. Địa chỉ logic của ô nhớ

C. Địa chỉ tuyến tính, các thanh ghi điều khiển, vị trí thư mục trang, vị trí bảng trang, vị trí trang

D. Địa chỉ tuyến tính, nội dung của CR3