Câu hỏi: Hệ thống ngắt cứng trong máy vi tính

A. Sử dụng 2 PIC8259 ghép tầng theo lối chủ/thợ với chân INT của PIC thợ được nối với chân IRQi của PIC chủ

B. Sử dụng 2 PIC8259 ghép tầng theo lối chủ/thợ với chân INT của PIC chủ được nối với chân IRQi của PIC thợ

C. Có thể nhận được tối đa 16 yêu cầu ngắt IRQi

D. Gửi các tín hiệu yêu cầu ngắt tới CPU

Câu 1: Khẳng định nào sau đây là đúng

A. Tốc độ truy nhập dữ liệu vào DRAM nhanh hơn so với truy nhập vào Cache

B. Tốc độ truy nhập dữ liệu vào Cache nhanh hơn so với truy nhập vào các thanh ghi của CPU

C. Tốc độ truy nhập dữ liệu vào Cache, DRAM là như nhau

D. Tốc độ truy nhập dữ liệu vào DRAM nhanh hơn so với truy nhập vào bộ nhớ thứ cấp

Câu 2: Trong mô hình tổ chức bộ nhớ theo phân cấp, tỷ lệ quy chiếu “trúng” cache là:

A. 100%

B. Nhỏ hơn 50%

C. Rất cao

D. Rất thấp

Câu 3: Trong máy vi tính DMAC8237

A. Nhận các yêu cầu DRQi từ thiết bị và gửi tín hiệu DACK tới thiết bị

B. Gửi tín hiệu HOLD tới CPU và nhận tín hiệu trả lời HLDA

C. Nhận tín hiệu yêu cầu DRQi và điều khiển quá trình vào ra trực tiếp giữa bộ nhớ và thiết bị ngoại vi sau khi nhận được tín hiệu HLDA

D. Hỗ trợ CPU thực hiện quá trình vào ra dữ liệu trực tiếp giữa bộ nhớ và CPU khi có tín hiệu DRQi

Câu 4: Trong việc vào/ra dữ liệu khi thiết bị ngoại vi gửi một dữ liệu cho máy tính dữ liệu này được đưa vào:

A. Thanh ghi trạng thái(1)

B. Thanh ghi dữ liệu(2)

C. Thanh ghi điều khiển(3)

D. Cả (1),(2),(3) đều đúng

Câu 5: Trong chế độ bảo vệ theo cơ chế quản lý bộ nhớ phân trang giả sử địa chỉ tuyến tính 32 bit có giá trị 567A9541h, và nội dung của PTE tương ứng là 56788123h thì địa chỉ vật lý của ô nhớ cần truy nhập là

A. 567A8123h

B. 56788541h

C. 95415678h

D. 56789541h

Câu 6: Cơ sở để tổ chức bộ nhớ phân cấp là

A. Tại một thời điểm CPU chỉ truy xuất dữ liệu nằm trong một vùng nhớ có kích thước nhỏ

B. Trong thời khoảng xác định CPU chỉ truy xuất dữ liệu nằm trong một vùng nhớ có kích thước nhỏ

C. CPU chỉ cần truy xuất dữ liệu nằm trong vùng nhớ có kích thước nhỏ khi thực hiện lệnh trong chương trình

D. Kỹ thuật điện tử bán dẫn và công nghệ chế tạo bộ nhớ phát triển