Câu hỏi: Trong chế độ bảo vệ theo cơ chế phân trang, cấu trúc của hệ thống quản lý trang gồm các phần:

A. Thư mục trang, bảng trang và trang

B. Thư mục trang, lối vào thư mục trang, bảng trang, lối vào bảng trang và trang

C. Lối vào thư mục trang PDE, lối vào bảng trang PTE và trang

D. Thư mục trang, lối vào thư mục trang, bảng trang, lối vào bảng trang

Câu 1: Địa chỉ vật lý của ô nhớ cần truy nhập trong chế độ bảo vệ theo cơ chế phân trang với CPU 32 bit được xác định

A. Từ địa chỉ nền của trang và địa chỉ offset

B. Bằng cách kết hợp 20 bit cao của địa chỉ nền trang và  12 bit thấp là địa chỉ offset

C. Bằng cách kết hợp 20 bit cao của địa chỉ nền trang và các bits A11-A0 của địa chỉ tuyến tính

D. Từ thông tin lối vào bảng trang PTE và địa chỉ tuyến tính

Câu 2: DMAC8237 có thể hoạt động theo 1 trong

A. 2 kiểu truyền dữ liệu

B. 3 kiểu truyền dữ liệu

C. 4 kiểu truyền dữ liệu

D. 5 kiểu truyền dữ liệu

Câu 3: Phương pháp vào/ra dữ liệu theo định trình

A. Thuộc nhóm phương pháp vào/ra do CPU chủ động

B. Thuộc nhóm phương pháp vào/ra do các thiết bị vào/ra chủ động

C. Không thuộc nhóm nào trong 2 nhóm trên

D. Có thể xếp vào một trong các nhóm trên

Câu 4: Trong việc vào/ra dữ liệu khi thiết bị ngoại vi gửi một dữ liệu cho máy tính dữ liệu này được đưa vào:

A. Thanh ghi trạng thái(1)

B. Thanh ghi dữ liệu(2)

C. Thanh ghi điều khiển(3)

D. Cả (1),(2),(3) đều đúng

Câu 5: Phương pháp vào/ra dữ liệu có thăm dò

A. Có độ tin cậy cao hơn phương pháp vào ra theo định trình và phương pháp vào/ ra theo ngắt cứng do CPU có thăm dò trạng thái sẵn sàng của thiết bị

B. Là phương pháp vào ra dữ liệu do thiết bị vào ra chủ động khởi động quá trình vào ra

C. Là phương pháp có tốc độ vào/ra dữ liệu chậm do phải kiểm soát trạng thái làm việc của CPU

D. Phương pháp vào ra mà quá trình vào ra dữ liệu chỉ thực sự được thực hiện sau khi CPU đã thăm dò trạng thái sẵn sàng của thiết bị

Câu 6: Trong cơ chế quản lý bộ nhớ theo phân trang để xác định được địa chỉ vật lý của ô nhớ cần dựa vào

A. Địa chỉ tuyến tính của ô nhớ

B. Địa chỉ logic của ô nhớ

C. Địa chỉ tuyến tính, các thanh ghi điều khiển, vị trí thư mục trang, vị trí bảng trang, vị trí trang

D. Địa chỉ tuyến tính, nội dung của CR3