Câu hỏi: Nhiệt lượng được tính theo nhiệt dung riêng như sau:

A. dq = c.dt

B. \(q = c\int\limits_{{t_1}}^{{t_2}} {dt} \)

C. \(q = c.\Delta t\)

D. Cả 3 câu trên đều đúng

Câu 1: Trong một hệ thống kín, công kỹ thuật …

A. … là công làm dịch chuyển bề mặt ranh giới của hệ nhiệt động.

B. … là công làm thay đổi thế năng của chất môi giới.

C. … được tính bằng biểu thức: \(dl = \bar v\int\limits_{{v_1}}^{{v_2}} {dp} \).

D. Cả 3 câu trên đều sai.

Câu 2: Quan hệ giữa các loại nhiệt dung riêng như sau:

A. \(\alpha {c_p} - \alpha {c_v} = 8314\) J/kg.độ

B. cp - cv = R

C. \(\frac{{{c_p}}}{{{c_v}}} = k\)

D. Cả 3 câu trên đều đúng

Câu 3: Trong một hệ thống kín, công thay đổi thể tích …

A. … là công làm dịch chuyển bề mặt ranh giới của hệ nhiệt động.

B. … là công làm thay đổi thế năng của chất môi giới.

C. … được tính bằng biểu thức: \(dl = \bar v\int\limits_{{v_1}}^{{v_2}} {dp}\).

D. Cả 3 câu trên đêu sai.

Câu 4: Hằng số Planck thứ hai C2 có trị số bằng:

A. \(5,{67.10^{ - 8}}\frac{W}{{{m^2}.{K^4}}}\)

B. \(2,{898.10^{ - 3}}m.K\)

C. \(1,{4388.10^{ - 2}}m.K\)

D. \(0,{374.10^{ - 15}}W.{m^2}\)

Câu 5: Cho 2 vách phẳng song song, dài và rộng vô hạn. Nhiệt độ các vách lần lượt là T1 và T2 không đổi. Hệ số hấp thụ và độ đen lần lượt là A1, A2, \({\varepsilon _1}\), \({\varepsilon _2}\) không đổi. Môi trường giữa 2 tấm là trong suốt. Năng suất bức xạ tới Et đến vách thứ hai bằng: 

A. \({E_{t2}} = {E_1} + (1 - {A_1}).{E_{hd1}}\)

B. \({E_{t2}} = {E_2} + (1 - {A_2}).{E_{hd2}}\)

C. \({E_{t2}} = {E_1} + (1 - {A_2}).{E_{hd2}}\)

D. \({E_{t2}} = {E_1} + (1 - {A_1}).{E_{hd2}}\)

Câu 6: Quá trình đa biến, khi số mũ đa biến n = ± º thì nó trở thành:

A. Quá trình đẳng áp

B. Quá trình đẳng nhiệt

C. Quá trình đẳng tích

D. Quá trình đoạn nhiệt