Câu hỏi: Định nghĩa nhiệt dung riêng: Nhiệt dung riêng …

A. … là nhiệt lượng cần thiết để làm thay đổi nhiệt độ của 1 đơn vị (kg, m3, kmol, …) vật chất.

B. … là nhiệt lượng cần thiết để làm 1 đơn vị (kg, m3, kmol, …) vật chất thay đổi nhiệt độ là 1 độ.

C. … là nhiệt lượng cần thiết để làm vật chất thay đổi nhiệt độ là 1 độ.

D. Cả 3 đáp án trên đều đúng.

Câu 1: Phương trình trạng thái khí lý tưởng như sau:

A. pV = RT.

B. pv = GRT.

C. pv = RT.

D. Cả 3 câu đều sai.

Câu 2: Nhiệt lượng được tính theo nhiệt dung riêng như sau:

A. dq = c.dt

B. \(q = c\int\limits_{{t_1}}^{{t_2}} {dt} \)

C. \(q = c.\Delta t\)

D. Cả 3 câu trên đều đúng

Câu 3: Trong một hệ thống kín, công thay đổi thể tích …

A. … là công làm dịch chuyển bề mặt ranh giới của hệ nhiệt động.

B. … là công làm thay đổi thế năng của chất môi giới.

C. … được tính bằng biểu thức: \(dl = \bar v\int\limits_{{v_1}}^{{v_2}} {dp}\).

D. Cả 3 câu trên đêu sai.

Câu 4: Trong một hệ thống kín, công kỹ thuật …

A. … là công làm dịch chuyển bề mặt ranh giới của hệ nhiệt động.

B. … là công làm thay đổi thế năng của chất môi giới.

C. … được tính bằng biểu thức: \(dl = \bar v\int\limits_{{v_1}}^{{v_2}} {dp} \).

D. Cả 3 câu trên đều sai.

Câu 5: Cho 2 vách phẳng song song, dài và rộng vô hạn. Nhiệt độ các vách lần lượt là T1 và T2 không đổi. Hệ số hấp thụ và độ đen lần lượt là A1, A2, \({\varepsilon _1}\), \({\varepsilon _2}\) không đổi. Môi trường giữa 2 tấm là trong suốt. Năng suất bức xạ tới Et đến vách thứ hai bằng: 

A. \({E_{t2}} = {E_1} + (1 - {A_1}).{E_{hd1}}\)

B. \({E_{t2}} = {E_2} + (1 - {A_2}).{E_{hd2}}\)

C. \({E_{t2}} = {E_1} + (1 - {A_2}).{E_{hd2}}\)

D. \({E_{t2}} = {E_1} + (1 - {A_1}).{E_{hd2}}\)

Câu 6: Định luật Stefan-Boltzmann:

A. \({E_{o\lambda }} = {C_o}.{\left( {\frac{{{T_1}}}{{100}}} \right)^4}\)

B. \({E_{o}} = {C_o}.{\left( {\frac{{{T_1}}}{{100}}} \right)^4}\)

C. \({E_o} = \frac{{{C_1}}}{{{\lambda ^5}.\left( {{e^{\frac{{{C_2}}}{{\lambda  - T}}}} - 1} \right)}}\)

D. \({E_{o}} = {C_o}.{\left( {\frac{{{T}}}{{100}}} \right)^4}\)