Câu hỏi: Trong sự trao đổi giữa cache và bộ nhớ chính, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Bộ nhớ chính chia thành các block nhớ

B. Cache chia thành các line nhớ

C. Bộ nhớ chính chia thành các line nhớ

D. Kích thước line bằng kích thước block

Câu 1: Trong kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Line

B. Tag + Word

C. Tag + Line + Word

D. Tag + Line

Câu 2: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 32K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit  

B. 16K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

C. 32K x 8 bit để có modul nhớ 64K x 16 bit 

D. 32K x 8 bit để có modul nhớ 64K x 8 bit

Câu 3: Cho chip nhớ như hình vẽ, đây là ký hiệu của:

A. SRAM 4K x 8 bit

B. DRAM 4 K x 8 bit

C. SRAM 2K x 8 bit

D. DRAM 2 K x 8 bit

Câu 4: Với chip nhớ DRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 2m x n bit

B.  22n x m bit

C. 22m x n bit

D. 2n x m bit

Câu 5: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. LIFO là TT thay đi block cũ nhất trong các block hiện nay

B. LTU là TT thay đi block có tần suất truy nhập ít nhất

C. LVU là TT thay đi block truy nhập gần đây ít nhất

D. Tất cả đều sai

Câu 6: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 4K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 4 bit

B. 8K x 4 bit để có modul nhớ 16K x 4 bit 

C. 8K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

D. 4K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit