Câu hỏi: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 4K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 4 bit

B. 8K x 4 bit để có modul nhớ 16K x 4 bit 

C. 8K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

D. 4K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

Câu 1: Xét kỹ thuật ánh xạ trực tiếp khi truy nhập cache, thứ tự tìm block trong cache được thực hiện dựa theo các trường trong địa chỉ do CPU phát ra như sau:

A. Line -> Tag -> Word

B. Line -> Word -> Tag

C. Tag -> Line -> Word

D. Tag -> Word -> Line

Câu 2: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. LIFO là TT thay đi block cũ nhất trong các block hiện nay

B. LTU là TT thay đi block có tần suất truy nhập ít nhất

C. LVU là TT thay đi block truy nhập gần đây ít nhất

D. Tất cả đều sai

Câu 3: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. TT Random cho tỉ lệ cache hit thấp nhất

B. TT LRU cho tỉ lệ cache hit cao nhất

C. TT FIFO cho tỉ lệ cache hit cao nhất

D. TT LFU cho tỉ lệ cache hit tương đối cao

Câu 4: Khi CPU truy nhập cache, có hai khả năng sau: 

A. Trượt cache, trúng cache

B. Sai cache, đúng cache

C. Trên cache, dưới cache

D. Trong cache, ngoài cache

Câu 5: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 512MB, cache: 128KB, line: 32 byte, độ dài ngăn nhớ: 2 byte, set: 4 line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A. 12 + 12 + 4   

B.  13 + 11 + 4

C. 14 + 10 + 4    

D. 13 + 9 + 6

Câu 6: Xét sơ đồ phân cấp hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Từ bộ nhớ cache đến bộ nhớ ngoài, tốc độ nhanh dần

B. Từ thanh ghi đến bộ xử lý, tốc độ tăng dần

C. Từ bộ nhớ ngoài đến thanh ghi, dung lượng giảm dần

D. Từ bộ nhớ trong đến bộ nhớ cache, tần suất truy nhập giảm dần