Câu hỏi: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 4K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 4 bit

B. 8K x 4 bit để có modul nhớ 16K x 4 bit 

C. 8K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

D. 4K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

Câu 1: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. FIFO là TT thay đi block cũ nhất trong các block hiện nay

B. FIFO là TT thay đi block có tần suất truy nhập ít nhất

C. LRU là TT thay đi block truy nhập gần đây ít nhất

D. Random là TT thay đi block ngẫu nhiên

Câu 2: Trong kỹ thuật ánh xạ liên kết hoàn toàn, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Line

B. Tag + Word

C. Tag + Line + Word

D. Tag + Line

Câu 3: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. FIFO là TT thay đi block mới nhất trong các block hiện nay

B. LRU là TT thay đi block có tần suất truy nhập ít nhất

C. LFU là TT thay đi block truy nhập gần đây ít nhất 

D. Tất cả đều sai

Câu 4: Cho chip nhớ như hình vẽ, đây là ký hiệu của:

A. SRAM 4K x 8 bit

B. DRAM 4 K x 8 bit

C. SRAM 2K x 8 bit

D. DRAM 2 K x 8 bit

Câu 5: Khi CPU truy nhập cache, có hai khả năng sau: 

A. Trượt cache, trúng cache

B. Sai cache, đúng cache

C. Trên cache, dưới cache

D. Trong cache, ngoài cache

Câu 6: Đối với bộ nhớ cache, xét nguyên lý định vị về không gian, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Mục thông tin vừa truy nhập thì xác suất lớn là sau đó các mục lân cận được truy nhập

B. Mục thông tin vừa truy nhập thì xác suất bé là sau đó các mục lân cận được truy nhập

C. Mục thông tin vừa truy nhập thì chắc chắn là sau đó các mục lân cận được truy nhập

D. Thông tin vừa truy nhập thì chắc chắn là sau đó các mục lân cận không được truy nhập