Câu hỏi: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối của 4 IC SRAM:

A. 4K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

B.  4K x 2 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

C. 8K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

D. 8K x 2 bit để có modul nhớ 16K x 2 bit

Câu 1: Đối với bộ nhớ cache, xét kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, thứ tự tìm block trong cache được thực hiện dựa theo các giá trị trong địa chỉ do CPU phát ra như sau:

A. Word -> Set -> Tag

B. Set -> Word -> Tag 

C.  Set -> Tag -> Word

D. Word -> Tag -> Set

Câu 2: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 256MB, cache: 64KB, line: 16 byte, độ dài  ngăn nhớ: 4 byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết hoàn toàn, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A. 13 + 11 + 2      

B. 12 + 12 + 2

C. 24 + 4            

D. 24 + 2

Câu 3: Trong kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Set

B. Tag + Word

C. Tag + Set + Word

D. Tag + Set

Câu 4: Với chip nhớ SRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 2m x n bit

B. 2n x m bit

C. 2m x n byte

D. 2n x m byte

Câu 5: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. LIFO là TT thay đi block cũ nhất trong các block hiện nay

B. LTU là TT thay đi block có tần suất truy nhập ít nhất

C. LVU là TT thay đi block truy nhập gần đây ít nhất

D. Tất cả đều sai

Câu 6: Xét kỹ thuật ánh xạ trực tiếp khi truy nhập cache, thứ tự tìm block trong cache được thực hiện dựa theo các trường trong địa chỉ do CPU phát ra như sau:

A. Line -> Tag -> Word

B. Line -> Word -> Tag

C. Tag -> Line -> Word

D. Tag -> Word -> Line