Câu hỏi: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 32K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit  

B. 16K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

C. 32K x 8 bit để có modul nhớ 64K x 16 bit 

D. 32K x 8 bit để có modul nhớ 64K x 8 bit

Câu 1: Đối với các phương pháp ghi dữ liệu vào cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Write through: ghi đồng thời vào cả cache và bộ nhớ chính

B. Write back: chỉ ghi vào cache, khi block tương ứng bị thay thế thì mới ghi vào bộ nhớ chính

C. Cả a và b đều đúng

D. Cả a và b đều sai

Câu 2: Đối với bộ nhớ cache, các thuật toán thay thế dữ liệu là: 

A. Ngẫu nhiên, FIFO, LRU, LFU

B. Ngẫu nhiên, LIFO, LRU, LFU

C. Ngẫu nhiên, FIFO, LFU, LTU

D. Ngẫu nhiên, LIFO, LTU, LVU

Câu 3: Xét các thuật toán thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Không có thuật toán

B. Ánh xạ trực tiếp không có thuật toán thay thế

C. Hai ánh xạ liên kết (hoàn toàn và tập hợp) có 4 thuật toán

D. Cả b và c đều đúng

Câu 4: Cho chip nhớ như hình vẽ, đây là ký hiệu của:

A. SRAM 8K x 16 bit                  

B. DRAM 8K x 16 bit

C. SRAM 64M x 16 bit 

D. DRAM 64M x 16 bit

Câu 5: Trong kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Line

B. Tag + Word

C. Tag + Line + Word

D. Tag + Line

Câu 6: Xét bộ nhớ cache, mỗi line được gắn thêm Tag là để:

A. Xác định block nào của bộ nhớ chính đang ở trong line

B. Xác định cache có dung lượng bao nhiêu

C. Xác định line có dung lượng bao nhiêu

D. Xác định cache có bao nhiêu line