Câu hỏi: Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

A. Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

B. Tần số làm việc cao (vài kHz)

C. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs )

D. Các phát biểu trên đều đúng

Câu 1: Phát biểu nào sau đây thì đúng cho cách kích triac:

A. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện AC

B. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

C. Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

D. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằng xung

Câu 2: Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất:

A. MOSFET

B. THYIRSTOR

C. TRIAC

D. DIAC

Câu 3: Triac có bao nhiêu cách kích dẫn:

A. một cách

B. hai cách

C. ba cách

D. bốn cách

Câu 4: Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch):

A. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA

B. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK

C. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA

D. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK

Câu 5: Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất:

A. BJT

B. JFET

C. UJT

D. TRIAC

Câu 6: Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất:

A. Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

B. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là Vmosfet để cấp dòng lớn

C. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

D. Các câu a, b, c đều đúng