Câu hỏi: Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất:

A. MOSFET

B. THYIRSTOR

C. TRIAC

D. DIAC

Câu 1: Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất:

A. Độ lợi dòng nhỏ còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ

B. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn

C. Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

D. Các câu a và c thì đúng

Câu 2: Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất:

A. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

B. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất

D. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

Câu 3: Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

A. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

B. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

C. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

D. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

Câu 4: Triac có bao nhiêu cách kích dẫn:

A. một cách

B. hai cách

C. ba cách

D. bốn cách

Câu 5: Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

A. Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

B. Tần số làm việc cao (vài kHz)

C. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs )

D. Các phát biểu trên đều đúng

Câu 6: Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất:

A. BJT

B. JFET

C. UJT

D. TRIAC