Câu hỏi: Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất:

A. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

B. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất

D. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

Câu 1: Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

A. Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

B. Tần số làm việc cao (vài kHz)

C. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs )

D. Các phát biểu trên đều đúng

Câu 2: Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế:

A. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

B. Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

C. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

D. Các câu a, b, c đều đúng

Câu 3: Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (gate turn off SCR):

A. GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực GA

B. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc song song với cực điều khiển đóng

C. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện với cực điều khiển đóng

D. Các phát biểu trên đều sai 

Câu 4: Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac:

A. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

B. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

C. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

D. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

Câu 5: Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất:

A. MOSFET

B. THYIRSTOR

C. TRIAC

D. DIAC

Câu 6: Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất:

A. Điện trở giửa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ )

B. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt

C. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz) 

D. Tất cả các câu a, b, c đều đúng