Câu hỏi: Triac có bao nhiêu cách kích dẫn:

A. một cách

B. hai cách

C. ba cách

D. bốn cách

Câu 1: Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch):

A. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA

B. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK

C. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA

D. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK

Câu 2: Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất:

A. Điện trở giửa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ )

B. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt

C. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz) 

D. Tất cả các câu a, b, c đều đúng

Câu 3: Phát biểu nào đúng cho SCS (silicon controlled switch):

A. Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng

B. Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng

C. Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều khiển đóng hoặc ngắt

D. Các phát biểu trên đều đúng

Câu 4: Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất:

A. MOSFET

B. THYIRSTOR

C. TRIAC

D. DIAC

Câu 5: Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

A. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

B. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

C. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

D. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

Câu 6: Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế:

A. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

B. Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

C. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

D. Các câu a, b, c đều đúng