Câu hỏi: Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất:

A. Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

B. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là Vmosfet để cấp dòng lớn

C. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

D. Các câu a, b, c đều đúng

Câu 1: Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất:

A. BJT

B. JFET

C. UJT

D. TRIAC

Câu 2: Phát biểu nào sau đây thì đúng cho cách kích triac:

A. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện AC

B. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

C. Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

D. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằng xung

Câu 3: Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất:

A. Điện trở giửa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ )

B. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt

C. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz) 

D. Tất cả các câu a, b, c đều đúng

Câu 4: Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac:

A. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

B. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

C. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

D. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

Câu 5: Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

A. Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

B. Tần số làm việc cao (vài kHz)

C. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs )

D. Các phát biểu trên đều đúng

Câu 6: Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất:

A. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

B. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất

D. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất