Câu hỏi: Phát biểu nào đúng cho SCS (silicon controlled switch):

A. Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng

B. Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng

C. Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều khiển đóng hoặc ngắt

D. Các phát biểu trên đều đúng

Câu 1: Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch):

A. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA

B. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK

C. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA

D. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK

Câu 2: Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất:

A. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

B. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất

D. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

Câu 3: Triac có bao nhiêu cách kích dẫn:

A. một cách

B. hai cách

C. ba cách

D. bốn cách

Câu 4: Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất:

A. Điện trở giửa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ )

B. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt

C. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz) 

D. Tất cả các câu a, b, c đều đúng

Câu 5: Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất:

A. Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

B. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là Vmosfet để cấp dòng lớn

C. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

D. Các câu a, b, c đều đúng

Câu 6: Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất:

A. BJT

B. JFET

C. UJT

D. TRIAC