Câu hỏi: Phát biểu nào sau đây thì đúng cho cách kích triac:

A. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện AC

B. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

C. Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

D. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằng xung

Câu 1: Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế:

A. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

B. Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

C. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

D. Các câu a, b, c đều đúng

Câu 2: Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất:

A. Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

B. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là Vmosfet để cấp dòng lớn

C. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

D. Các câu a, b, c đều đúng

Câu 3: Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất:

A. Điện trở giửa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ )

B. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt

C. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz) 

D. Tất cả các câu a, b, c đều đúng

Câu 4: Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac:

A. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

B. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

C. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

D. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

Câu 5: Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất:

A. MOSFET

B. THYIRSTOR

C. TRIAC

D. DIAC

Câu 6: Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):

A. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

B. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

C. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

D. IGBT là linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet