Câu hỏi: Méo xuyên tâm trong tầng khuếch đại công suất xuất hiện do:

A. Do điện áp phân cực ban đầu

B. Do không có điện áp phân cực ban đầu

C. Do mỗi transistor của tầng đẩy kéo chỉ làm việc ở một nửa chu kỳ tín hiệu 

D. A, B, C đều sai

Câu 1: Ở chế độ tĩnh, VC của mạch ở hình được xác định theo công thức:

A. VCC-IBRB 

B. VCC-ICRC 

C. VCC-IERE 

D. A,B,C đều sai

Câu 2: Với tầng khuếch đại công suất, các transistor khuếch đại tín hiệu lớn có đặc tính làm việc:

A. làm việc trong miền tuyến tính 

B. không làm việc trong miền tuyến tính 

C. có thể dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để xét bộ khuếch đại 

D. B và C đều đúng

Câu 3: Ở chế độ tĩnh, dòng IB của mạch ở hình  được xác định theo công thức:

A. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + {R_E}}}\)

B. \({I_B} \approx \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + \beta {R_E}}}\)

C. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + (1 + \beta ){R_E}}}\)

D. Cả B,C đều đúng

Câu 4: Mạch khuếch đại dùng BJT ở hình mắc theo loại nào:

A. Emitter chung (EC) 

B. Collector chung (CC)

C. Base chung (EC) 

D. Cả A, B, C đều sai

Câu 5: Q1 có β1=150, Q2 có β2=100 thì dòng mối quan hệ giữa IE2 của Q2 và IB1 của Q1 như thế nào?

A. IE2=15000IB1

B. IE2=150IB1 

C. IE2=100IB1 

D. Đáp án khác

Câu 6: Mạch khuếch đại dùng BJT ở hình  mắc theo loại nào:

A. Emitter chung (EC)

B. Collector chung (CC)

C. Base chung (EC)

D. Cả A, B,C đều sai