Câu hỏi: Ở chế độ tĩnh, dòng IB của mạch ở hình  được xác định theo công thức:

A. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + {R_E}}}\)

B. \({I_B} \approx \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + \beta {R_E}}}\)

C. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + (1 + \beta ){R_E}}}\)

D. Cả B,C đều đúng

Câu 1: Với tầng khuếch đại công suất, các transistor khuếch đại tín hiệu lớn có đặc tính làm việc:

A. làm việc trong miền tuyến tính 

B. không làm việc trong miền tuyến tính 

C. có thể dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để xét bộ khuếch đại 

D. B và C đều đúng

Câu 2: Mạch khuếch đại dùng BJT ở hình mắc theo loại nào:

A. Emitter chung (EC) 

B. Collector chung (CC)

C. Base chung (EC) 

D. Cả A, B, C đều sai

Câu 3: Với mạch hình 2 sau thuộc loai hồi tiếp nào:

A. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện 

B. hồi tiếp âm song song dòng điện 

C. hồi tiếp âm song song điện áp 

D. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp

Câu 4: Biện pháp mở rộng dải tần của bộ khuếch đại là:

A. giảm tần số giới hạn dưới 

B. tăng tần số giới hạn trên 

C. dùng mạch hồi tiếp âm D. cả A,B,C đều đúng

D. cả A,B,C đều đúng

Câu 5: Với tầng khuếch đại công suất, chế độ B có đặc điểm:

A. méo xuyên tâm 

B. hiệu suất cao 

C. khuếch đại nửa chu kỳ của tín hiệu vào 

D. A, B, C đều đúng

Câu 6: Các thông số cho ở trên (R1=56KΩ, R2=39KΩ, Rc=1KΩ, RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu rce vô cùng lớn, RB>>βre):

A. 1.67

B. 100 

C. 1 

D. ngoài các đáp án trên