Câu hỏi: Mạch khuếch đại dùng BJT ở hình mắc theo loại nào:

A. Emitter chung (EC) 

B. Collector chung (CC)

C. Base chung (EC) 

D. Cả A, B, C đều sai

Câu 1: Ở chế độ tĩnh, dòng IB của mạch ở hình  được xác định theo công thức:

A. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + {R_E}}}\)

B. \({I_B} \approx \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + \beta {R_E}}}\)

C. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + (1 + \beta ){R_E}}}\)

D. Cả B,C đều đúng

Câu 2: Mạch khuếch đại dùng BJT ở hình  mắc theo loại nào:

A. Emitter chung (EC)

B. Collector chung (CC)

C. Base chung (EC)

D. Cả A, B,C đều sai 

Câu 3: Méo xuyên tâm trong tầng khuếch đại công suất xuất hiện do:

A. Do điện áp phân cực ban đầu

B. Do không có điện áp phân cực ban đầu

C. Do mỗi transistor của tầng đẩy kéo chỉ làm việc ở một nửa chu kỳ tín hiệu 

D. A, B, C đều sai

Câu 4: Tần số giới hạn trên của bộ khuếch đại dải rộng được xác định bởi các yếu tố nào:

A. điện trở tải

B. các tụ điện mắc song song với tải 

C. trở kháng ra 

D. cả A và B

Câu 5: Với tầng khuếch đại công suất, chế độ B có đặc điểm:

A. hiệu suất cao 

B. méo nhỏ

C. khuếch đại tín hiệu ra lớn hơn nửa hình sin 

D. tất cả đều sai

Câu 6: Với mạch hình 2 sau thuộc loai hồi tiếp nào:

A. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện 

B. hồi tiếp âm song song dòng điện 

C. hồi tiếp âm song song điện áp 

D. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp