Câu hỏi: Với tầng khuếch đại công suất, chế độ B có đặc điểm:

A. hiệu suất cao 

B. méo nhỏ

C. khuếch đại tín hiệu ra lớn hơn nửa hình sin 

D. tất cả đều sai

Câu 1: Các thông số cho ở trên (R1=56KΩ, R2=39KΩ, Rc=1KΩ, RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu rce vô cùng lớn, RB>>βre):

A. 1.67

B. 100 

C. 1 

D. ngoài các đáp án trên

Câu 2: Ở chế độ tĩnh, dòng IB của mạch ở hình  được xác định theo công thức:

A. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + {R_E}}}\)

B. \({I_B} \approx \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + \beta {R_E}}}\)

C. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + (1 + \beta ){R_E}}}\)

D. Cả B,C đều đúng

Câu 3: Với tầng khuếch đại công suất, chế độ B có đặc điểm:

A. méo xuyên tâm 

B. hiệu suất cao 

C. khuếch đại nửa chu kỳ của tín hiệu vào 

D. A, B, C đều đúng

Câu 4: Ở chế độ tĩnh, VC của mạch ở hình được xác định theo công thức:

A. VCC-IBRB 

B. VCC-ICRC 

C. VCC-IERE 

D. A,B,C đều sai

Câu 5: Tần số giới hạn trên của bộ khuếch đại dải rộng được xác định bởi các yếu tố nào:

A. điện trở tải

B. các tụ điện mắc song song với tải 

C. trở kháng ra 

D. cả A và B

Câu 6: Mạch sau ở hình sau thuộc loại hồi tiếp nào:

A. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện 

B. hồi tiếp âm song song dòng điện 

C. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp 

D. A,B,C đều sai