Câu hỏi: Với tầng khuếch đại công suất, chế độ B có đặc điểm:

A. hiệu suất cao 

B. méo nhỏ

C. khuếch đại tín hiệu ra lớn hơn nửa hình sin 

D. tất cả đều sai

Câu 1: Các thông số cho ở trên (R1=56KΩ, R2=39KΩ, Rc=1KΩ, RE=600Ω, VCC=9V và β=100) có hệ số khuếch đại dòng điện xấp xỉ (nếu rce vô cùng lớn, RB>>βre):

A. 1.67

B. 100 

C. 1 

D. ngoài các đáp án trên

Câu 2: Mạch sau ở hình sau thuộc loại hồi tiếp nào:

A. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện 

B. hồi tiếp âm song song dòng điện 

C. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp 

D. A,B,C đều sai

Câu 3: Q1 có β1=150, Q2 có β2=100 thì dòng mối quan hệ giữa IE2 của Q2 và IB1 của Q1 như thế nào?

A. IE2=15000IB1

B. IE2=150IB1 

C. IE2=100IB1 

D. Đáp án khác

Câu 4: Với tầng khuếch đại công suất, các transistor khuếch đại tín hiệu lớn có đặc tính làm việc:

A. làm việc trong miền tuyến tính 

B. không làm việc trong miền tuyến tính 

C. có thể dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để xét bộ khuếch đại 

D. B và C đều đúng

Câu 5: Ở chế độ tĩnh, dòng IB của mạch ở hình  được xác định theo công thức:

A. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + {R_E}}}\)

B. \({I_B} \approx \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + \beta {R_E}}}\)

C. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + (1 + \beta ){R_E}}}\)

D. Cả B,C đều đúng

Câu 6: Với tầng khuếch đại công suất, chế độ B có đặc điểm:

A. méo xuyên tâm 

B. hiệu suất cao 

C. khuếch đại nửa chu kỳ của tín hiệu vào 

D. A, B, C đều đúng