Câu hỏi: Hệ thống  rời rạc là ổn định nếu tất cả các nghiệm của phương trình đặc tính:

A. Nằm bên trái mặt phẳng phức

B. Nằm bên trong vòng tròn đơn vị

C. Nằm bên ngoài vòng tròn đơn vị

D. Nằm bên phải mặt phẳng phức

Câu 1: Xác định hàm truyền tương đương của hệ thống nối tiếp như hình vẽ: 

A. \({G_{td}}(s) = \frac{1}{{{s^2} + 5s + 2}}\)

B. \({G_{td}}(s) = \frac{{s + 2}}{{{s^2} + 5s + 6}}\)

C. \({G_{td}}(s) = \frac{1}{{{s^2} + 3s + 6}}\)

D. \({G_{td}}(s) = \frac{1}{{{s^2} + 5s + 6}}\)

Câu 2: Cho hệ thống hồi tiếp âm đơn vị sau. Sai số xác lập exl là:

A. \({e_{xl}} = \mathop {\lim }\limits_{t \to \infty } e(t) = \mathop {\lim }\limits_{s \to 0} \frac{{sR(s)}}{{1 + G(s)H(s)}}\)

B. \({e_{xl}} = \mathop {\lim }\limits_{t \to 0} e(t) = \mathop {\lim }\limits_{s \to \infty } \frac{{sR(s)}}{{1 + G(s)H(s)}}\)

C. \({e_{xl}} = \mathop {\lim }\limits_{t \to \infty } e(t) = \mathop {\lim }\limits_{s \to 0} \frac{{R(s)}}{{1 + G(s)}}\)

D. \({e_{xl}} = \mathop {\lim }\limits_{t \to \infty } e(t) = \mathop {\lim }\limits_{s \to 0} \frac{{sG(s)}}{{1 + R(s)G(s)}}\)

Câu 3: Cho hệ thống hồi tiếp âm đơn vị sau. Sai số xác lập exl là:

A. \({e_{xl}} = \mathop {\lim }\limits_{t \to \infty } e(t) = \mathop {\lim }\limits_{s \to 0} \frac{{sR(s)}}{{1 + G(s)}}\)

B. \({e_{xl}} = \mathop {\lim }\limits_{t \to 0} e(t) = \mathop {\lim }\limits_{s \to \infty } \frac{{sR(s)}}{{1 + G(s)}}\)

C. \({e_{xl}} = \mathop {\lim }\limits_{t \to \infty } e(t) = \mathop {\lim }\limits_{s \to 0} \frac{{R(s)}}{{1 + G(s)}}\)

D. \({e_{xl}} = \mathop {\lim }\limits_{t \to \infty } e(t) = \mathop {\lim }\limits_{s \to 0} \frac{{sG(s)}}{{1 + R(s)}}\)

Câu 4: Hệ thống có quỹ đạo nghiệm số như hình vẽ. Số nghiệm cực của hệ thống là:

A. 2

B. 3

C. 4

D. 5

Câu 5: Hệ SISO là hệ thống có:

A. Nhiều ngõ vào- nhiều ngõ ra

B. Nhiều ngõ vào - một ngõ ra

C. Một ngõ vào – một ngõ ra

D. Một ngõ vào – nhiều ngõ ra

Câu 6: Đặc điểm của khâu hiệu chỉnh PD (Proportional Derivative) là:

A. Làm chậm đáp ứng của hệ thống, tăng thời gian quá độ

B. Làm chậm đáp ứng của hệ thống, giảm thời gian quá độ

C. Làm nhanh đáp ứng của hệ thống, giảm thời gian quá độ

D. Làm nhanh đáp ứng của hệ thống, tăng thời gian quá độ