Câu hỏi: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. DRAM được chế tạo từ mạch lật

B. DRAM được chế tạo từ tụ điện

C. SRAM được chế tạo từ mạch lật

D. SRAM không cần phải làm tươi

Câu 1: Cho lệnh assembly: SUB AX, [BX]. Phát biểu nào sau đây là sai: 

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ thanh ghi

B. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ gián tiếp qua thanh ghi

C. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ dịch chuyển

D. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ gián tiếp

Câu 2: Đối với hệ thống nhớ, có các kiểu vật lý như sau:

A. Bộ nhớ từ, RAM, bộ nhớ cache

B. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ cache 

C. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang

D. Bộ nhớ quang, bộ nhớ cache, bộ nhớ từ

Câu 3: Cho lệnh assembly: ADD DX, [SI]+30. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ dịch chuyển

B. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì

D. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ gián tiếp

Câu 4: Hình vẽ sau là sơ đồ hoạt động của mode địa chỉ:

A. Gián tiếp 

B. Thanh ghi

C. Không tồn tại

D. Gián tiếp qua thanh ghi

Câu 5: Trong một lệnh mã máy, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể có nhiều mã lệnh

B. Không tồn tại lệnh không có toán hạng

C. Toán hạng là duy nhất

D. Có thể có nhiều toán hạng

Câu 6: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Là loại bộ nhớ không khả biến

B. RAM là viết tắt của: Read Access Memory

C. SRAM được chế tạo từ các tụ điện

D. Là nơi lưu giữ thông tin mà máy tính đang xử lý