Câu hỏi: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. DRAM được chế tạo từ mạch lật

B. DRAM được chế tạo từ tụ điện

C. SRAM được chế tạo từ mạch lật

D. SRAM không cần phải làm tươi

Câu 1: Đối với mode địa chỉ trực tiếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ có địa chỉ được chỉ ra trong lệnh

B. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ

C. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ ngăn nhớ 

D. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ thanh ghi

Câu 2: Cho lệnh assembly: ADD CX, 20. Phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì

B. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ gián tiếp qua thanh ghi

D. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ thanh ghi

Câu 3: Đối với lệnh mã máy, số lượng toán hạng có thể là:

A. 1, 2, 3 toán hạng

B. 0, 1, 2, toán hạng

C. 2, 3, 4 toán hạng

D. Cả a và b đều đúng

Câu 4: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu: A0 -> A13, D0 -> D15 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Dung lượng của chip là: 16K x 16 bit

B. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

Câu 5: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng 64K x 4 bit, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Các đường địa chỉ là: A0  -> A15

B. Các đường địa chỉ là: D0 -> D15

C. Các đường dữ liệu là: A0 -> A3

D. Các đường dữ liệu là: D1 -> D8

Câu 6: Hình vẽ sau là sơ đồ hoạt động của mode địa chỉ:

A. Không tồn tại

B. Gián tiếp qua thanh ghi

C. Trực tiếp

D. Gián tiếp