Câu hỏi: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:
A. DRAM được chế tạo từ mạch lật
B. DRAM được chế tạo từ tụ điện
C. SRAM được chế tạo từ mạch lật
D. SRAM không cần phải làm tươi
Câu 1: Đối với mode địa chỉ trực tiếp, phát biểu nào sau đây là sai:
A. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ có địa chỉ được chỉ ra trong lệnh
B. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ
C. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ ngăn nhớ
D. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ thanh ghi
30/08/2021 6 Lượt xem
Câu 2: Cho lệnh assembly: MOV AX, [BX]+50. Phát biểu nào sau đây là sai:
A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ dịch chuyển
B. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ dịch chuyển
C. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì
D. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ gián tiếp
30/08/2021 7 Lượt xem
Câu 3: Hình vẽ sau là sơ đồ hoạt động của mode địa chỉ:
A. Dịch chuyển
B. Gián tiếp qua thanh ghi
C. Trực tiếp
D. Không tồn tại
30/08/2021 6 Lượt xem
Câu 4: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là đúng:
A. Là loại bộ nhớ không khả biến
B. RAM là viết tắt của: Read Access Memory
C. SRAM được chế tạo từ các tụ điện
D. Là nơi lưu giữ thông tin mà máy tính đang xử lý
30/08/2021 7 Lượt xem
Câu 5: Cho lệnh assembly: SUB AX, [BX]. Phát biểu nào sau đây là sai:
A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ thanh ghi
B. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ gián tiếp qua thanh ghi
C. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ dịch chuyển
D. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ gián tiếp
30/08/2021 7 Lượt xem
Câu 6: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là sai:
A. Có tất cả 5 loại ROM
B. Là loại bộ nhớ khả biến
C. Là nơi chứa các chương trình hệ thống (BIOS)
D. Là nơi chứa các vi chương trình
30/08/2021 6 Lượt xem
Câu hỏi trong đề: Bộ câu hỏi trắc nghiệm kiến trúc máy tính có đáp án - Phần 6
- 13 Lượt thi
- 50 Phút
- 50 Câu hỏi
- Người đi làm
Chia sẻ:
Đăng Nhập để viết bình luận