Câu hỏi: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. DRAM được chế tạo từ mạch lật

B. DRAM được chế tạo từ tụ điện

C. SRAM được chế tạo từ mạch lật

D. SRAM không cần phải làm tươi

Câu 1: Cho lệnh assembly: ADD DX, [40]. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì

B. Toán hạng nguồn không thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ thanh ghi

D.  Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ thanh ghi

Câu 2: Đối với mode địa chỉ dịch chuyển, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Là sự kết hợp: mode gián tiếp qua thanh ghi và mode trực tiếp

B. Có sự tham gia của mode địa chỉ tức thì

C. Địa chỉ toán hạng không phải là: nội dung thanh ghi + hằng số

D. Có sự tham gia của mode địa chỉ thanh ghi

Câu 3: Cho lệnh assembly: POP DX. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Không có toán hạng nguồn

B. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích được ngầm hiểu

D. Toán hạng nguồn được ngầm hiểu

Câu 4: Đối với lệnh mã máy, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Có 2 thành phần: mã lệnh và các toán hạng

B. Mã lệnh cho biết thao tác cần thực hiện

C. Toán hạng cho biết thao tác cần thực hiện

D. Toán hạng cho biết nơi chứa dữ liệu cần tác động

Câu 5: Xét về các phương pháp truy nhập trong hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là sai: 

A. Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ cache

B. Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ cache

C. Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong

D. Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ

Câu 6: Cho chip nhớ DRAM có các tín hiệu: A0 -> A7, D0 -> D7 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây đúng

A. Dung lượng của chip là: 64K x 8 bit

B. Dung lượng của chip là: 8K x 8 bit

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  WE là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu