Câu hỏi: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Là loại bộ nhớ không khả biến

B. RAM là viết tắt của: Read Access Memory

C. SRAM được chế tạo từ các tụ điện

D. Là nơi lưu giữ thông tin mà máy tính đang xử lý

Câu 1: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Được chế tạo từ mạch lật

B. Được chế tạo từ transistor

C. Được chế tạo từ diode

D. Cả b và c

Câu 2: Đối với mode địa chỉ trực tiếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ có địa chỉ được chỉ ra trong lệnh

B. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ

C. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ ngăn nhớ 

D. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ thanh ghi

Câu 3: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 4: Cho lệnh assembly: ADD DX, [SI]+30. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ dịch chuyển

B. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì

D. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ gián tiếp

Câu 5: Cho lệnh assembly: ADD DX, [40]. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì

B. Toán hạng nguồn không thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ thanh ghi

D.  Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ thanh ghi

Câu 6: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Có tất cả 5 loại ROM

B. Là loại bộ nhớ khả biến

C. Là nơi chứa các chương trình hệ thống (BIOS)

D.  Là nơi chứa các vi chương trình