Câu hỏi: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Là loại bộ nhớ không khả biến

B. RAM là viết tắt của: Read Access Memory

C. SRAM được chế tạo từ các tụ điện

D. Là nơi lưu giữ thông tin mà máy tính đang xử lý

Câu 1: Cho lệnh assembly: POP DX. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Không có toán hạng nguồn

B. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích được ngầm hiểu

D. Toán hạng nguồn được ngầm hiểu

Câu 2: Xét về các phương pháp truy nhập trong hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là sai: 

A. Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ cache

B. Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ cache

C. Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong

D. Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ

Câu 3: Cho chip nhớ DRAM có các tín hiệu: A0 -> A7, D0 -> D7 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây đúng

A. Dung lượng của chip là: 64K x 8 bit

B. Dung lượng của chip là: 8K x 8 bit

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  WE là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

Câu 4: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Là loại bộ nhớ không khả biến

B. Là nơi lưu giữ thông tin tạm thời

C. Có hai loại RAM

D. Là bộ nhớ đọc/ghi tuỳ ý

Câu 5: Cho lệnh assembly: ADD AX, [BP]. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ thanh ghi

B. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ gián tiếp qua thanh ghi

C. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ thanh ghi

D. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ gián tiếp qua thanh ghi

Câu 6: Đối với mode địa chỉ ngăn xếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng được ngầm hiểu

B. Toán hạng là ngăn nhớ đỉnh ngăn xếp

C. Cả và b đều sai

D. Cả a và b đều đúng