Câu hỏi: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Là loại bộ nhớ không khả biến

B. RAM là viết tắt của: Read Access Memory

C. SRAM được chế tạo từ các tụ điện

D. Là nơi lưu giữ thông tin mà máy tính đang xử lý

Câu 1: Đối với lệnh mã máy, số lượng toán hạng có thể là:

A. 1, 2, 3 toán hạng

B. 0, 1, 2, toán hạng

C. 2, 3, 4 toán hạng

D. Cả a và b đều đúng

Câu 2: Cho lệnh assembly: POP DX. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Không có toán hạng nguồn

B. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích được ngầm hiểu

D. Toán hạng nguồn được ngầm hiểu

Câu 3: Xét lệnh ROTATE. Lệnh này thuộc:

A. Nhóm lệnh chuyển điều khiển

B. Nhóm lệnh điều khiển hệ thống

C. Nhóm lệnh quan hệ

D. Nhóm lệnh logic

Câu 4: Xét về các phương pháp truy nhập trong hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là sai: 

A. Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ cache

B. Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ cache

C. Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong

D. Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ

Câu 5: Đối với lệnh mã máy, toán hạng không thể là:

A. Một hằng số

B. Nội dung của thanh ghi

C. Nội dung của ngăn nhớ

D. Nội dung của thanh ghi có địa chỉ nằm trong một ngăn nhớ

Câu 6: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu: A0 -> A13, D0 -> D15 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Dung lượng của chip là: 16K x 16 bit

B. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu