Câu hỏi: Điện tích điểm Q gây ra điện trường tại A và B có cường độ EA = 100 V/m và EB = 1600V/m. Tính cường độ điện trường tại trung điểm M của AB, biết Q – B – A thẳng hàng.

A. 850V/m

B. 256V/m

C. 750 V/m

D. 425 V/m 

Câu 1: Lỗ thủng tròn, tâm O, bán kính 20 cm nằm giữa mặt phẳng rất rộng tích điện đều, mật độ điện mặt +8,86.10-10 C/m2. Cường độ điện trường E tại một điểm trên trục xuyên tâm O, vuông góc với mặt phẳng, cách O một đoạn 5 cm là:

A. E = 12,1 V/m

B. E = 2,94.10-3 V/m.

C. E = 1,87.10-4 C/m2

D. E = 2,65.102 Cm

Câu 2: Trong hệ SI, đơn vị đo cường độ điện trường là:

A. vôn trên mét (V/m).

B. vôn mét (Vm)

C. coulomb trên mét vuông (C/m2).

D. coulomb (C). 

Câu 3: Biểu thức nào sau đây dùng để tính thông lượng điện trường gởi qua mặt (S) bất kì?

A. \({\Phi _E} = \int\limits_{(S)} {\overrightarrow E .d\,\overrightarrow S } \)

B. \({\Phi _E} = \oint\limits_{(S)} {\overrightarrow E .d\,\overrightarrow S } \)

C. \(d{\Phi _E} = \overrightarrow E .d\,\overrightarrow S \)

D. \({\Phi _E} = \frac{1}{{\varepsilon {\varepsilon _0}}}\sum {{q_{i\,trong\,(S)}}} \)

Câu 4: Một đĩa tròn bán kính R tích điện đều với mật độ điện tích mặt σ, đặt trong không khí. Phát biểu nào sau đây là SAI, khi nói về vectơ cường độ điện trường tại những điểm nằm trên trục, lân cận tâm O của đĩa?

A. Vuông góc với mặt phẳng của đĩa tròn

B. Hướng ra xa đĩa, nếu σ > 0

C. E = 0.

D. Hướng lại gần đĩa, nếu σ < 0.

Câu 5: Lần lượt đặt hai điện tích điểm q1, q2 trái dấu vào A thì trị số cường độ điện trường tại B lần lượt là E1 = 100 V/m, E2 = 80 V/m. Nếu đặt cả hai điện tích đó vào A thì trị số cường độ điện trường tại B là:

A. 20 V/m

B. 180 V/m

C. 90 V/m.

D. 45 V/m

Câu 6: Trong hệ SI, đơn vị đo thông lượng điện cảm là:

A. vôn trên mét (V/m).

B. vôn mét (Vm).

C. coulomb trên mét vuông (C/m2)

D. coulomb (C).