Câu hỏi: Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của Rb1và Rb2được xem là độc lập với dòng base của transistor ?

A. Dòng base không chảy qua Rb1hoặc Rb2

B. Dòng base nhỏ so với dòng chảy qua Rb1và Rb2

C. Chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua Rb1và Rb2

D. Tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp

Câu 1: Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì?

A. Các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC

B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau

C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại

D. Cả b và c.

Câu 2: Tại sao cần phải biết trở kháng vào của mỗi tầng trong một bộ khuyếch đại nhiều tầng ?

A. Do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng

B. Do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo

C. Do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo

D. Cả b và c

Câu 3: Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?

A. 50mVpp

B. 0,2Vpp

C. 7,5Vpp

D. 15Vpp

Câu 4: Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu của Q1gần bằng 3

A. Tụ C3bị ngắn mạch

B. Tụ C5bị hở mạch

C. Mạch đúng chức năng

D. Tụ C4hở mạch

Câu 5: Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có hệ số khuyếch đại cao nhất ?

A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ

B. Phân tách điện trở emitter

C. Không được rẽ mạch tụ

D. Tất cả các ý trên

Câu 6: Tại sao cần phải ổn định mạch khuyếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta? 

A. Do beta thay đổi theo nhiệt độ

B. Do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng

C. Do beta khác nhau trong các BJT cùng loại

D. Cả a và c