Câu hỏi: Điện trở động của tiếp giáp base - emitter là được mắc . . . . . .

A. Nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base

B. Song song với điện trở tín hiệu ở nhánh base

C. Song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter

D. Nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter

Câu 1: Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuyếch đại phân cực emitter thường bằng . . . . . .

A. 0V

B.  0,7V

C. 2V

D. Vcc.

Câu 2: Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của Rb1và Rb2được xem là độc lập với dòng base của transistor ?

A. Dòng base không chảy qua Rb1hoặc Rb2

B. Dòng base nhỏ so với dòng chảy qua Rb1và Rb2

C. Chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua Rb1và Rb2

D. Tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp

Câu 3: Các mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp thực tế thích hợp cho làm việc với . . . .

A. Các tín hiệu tần số cao

B. Các tín hiệu tần số cao

C. Các mạch cần trở kháng vào rất cao

D. Các mạch cần trở kháng vào rất cao

Câu 4: Nếu tụ đầu ra (C2) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor là bao nhiêu ?

A. 50mVpp

B. 0,2Vpp

C.  7,5Vpp

D. 15Vpp

Câu 5: Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì?

A. Các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC

B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau

C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại

D. Cả b và c.

Câu 6: Tại sao cần phải biết trở kháng vào của mỗi tầng trong một bộ khuyếch đại nhiều tầng ?

A. Do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng

B. Do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo

C. Do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo

D. Cả b và c