Câu hỏi: Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực emitter là . . . . . 

A. Phụ thuộc vào beta

B. Được tính bằng công thức chung như đối với mạch khuyếch đại phân cực phân áp

C. Bằng với x re

D. Luôn luôn cao hơn so với hệ số khuyếch đại điện áp của mạch kh. đại phân cực phân áp.

Câu 1: Nếu tụ đầu ra (C2) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor là bao nhiêu ?

A. 50mVpp

B. 0,2Vpp

C.  7,5Vpp

D. 15Vpp

Câu 2: Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?

A. 50mVpp

B. 0,2Vpp

C. 7,5Vpp

D. 15Vpp

Câu 3: Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì?

A. Các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC

B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau

C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại

D. Cả b và c.

Câu 4: Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ?

A. Emitter chung

B. Base chung

C. Collector chung

D. Tất cả các ý trên

Câu 5: Khi tính trở kháng vào, hai điện trở base (Rb1và Rb2) xuất hiện dưới dạng . . . . . với các linh kiện khác

A. Nối tiếp

B. Nối tiếp / song song

C. Song song

D. Nối tiếp ngược chiều nhau

Câu 6: Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có hệ số khuyếch đại cao nhất ?

A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ

B. Phân tách điện trở emitter

C. Không được rẽ mạch tụ

D. Tất cả các ý trên