Câu hỏi: Trong chế độ thực  ô nhớ có địa chỉ logic 3001h:A599h có địa chỉ vật lý là

A. 3A5A9h

B. 3A609h

C. D59Ah

D. 3A59Ah

Câu 1: Phép cộng nào sau đây không thực hiện được

A. Phép cộng AH và AL

B. Phép cộng BH và DL

C. Phép cộng CX và AL

D. Phép cộng CX và AX

Câu 2: Khi chạy đoạn chương trình: for i:= 1 to length(st) do writeln(st[i]). Với st là xâu ký tự thì nội dung thanh ghi

A. DI tăng lên 1 sau mỗi lần lặp

B. DI và SI giảm đi 1 sau mỗi lần lặp

C. SI tăng lên 1 sau mỗi lần lặp

D. DI và SI tăng lên 1sau mỗi lần lặp

Câu 3: Địa chỉ từ C8000 đến C9FFF có bao nhiêu KROM tương ứng

A. 32 KROM

B. 8 KROM

C. 16 KROM

D. 128 KROM

Câu 4: Khẳng định nào là đúng

A. Thời gian để truy xuất dữ liệu từ bộ nhớ ROM ngắn hơn so với thời gian để truy xuất dữ liệu từ bộ nhớ RAM

B. Người lập trình có thể thay đổi nội dung bộ nhớ ROM qua chương trình

C. Không nhất thiết phải cần đến nguồn nuôi khi muốn đọc dữ liệu từ ROM

D. Tốc độ đọc dữ liệu từ bộ nhớ ROM chậm hơn so với tốc độ đọc dữ liệu từ bộ nhớ RAM

Câu 5: Trong cơ chế quản lý bộ nhớ trong chế độ thực ES : OFFSET trỏ tới

A. Ô nhớ trong đoạn mã lệnh

B. Ô nhớ trong đoạn dữ liệu

C. Ô nhớ trong đoạn mở rộng

D. Ô nhớ trong đoạn ngăn xếp

Câu 6: Bộ đồng xử lý toán học có chức năng trợ giúp CPU xử lý

A. Các phép toán số học và logic với tốc độ nhanh và độ chính xác cao

B. Các phép toán số học với số dấu chấm động với tốc độ nhanh

C. Các phép toán lượng giác với độ chính xác cao

D. Các phép toán số học với số dấu chấm động, các phép tinh logarit và lượng giác