Câu hỏi: Trong cơ chế quản lý bộ nhớ theo phân đoạn chế độ thực sử dụng 20 bits địa chỉ, địa chỉ đoạn được hiểu là:

A. Địa chỉ của đoạn nhớ

B. Địa chỉ vật lý của ô nhớ nền đoạn

C. 16 bits cao nhất của địa chỉ vật lý ô nhớ nền đoạn

D. Địa chỉ logic của ô nhớ nền đoạn

Câu 1: Địa chỉ nền đoạn nhớ

A. là địa chỉ vật lý của ô nhớ có địa chỉ vật lý cao nhất trong đoạn nhớ đó

B. là địa chỉ vật lý của ô nhớ có địa chỉ vật lý thấp nhất trong đoạn nhớ đó

C. được xác định bằng Địa chỉ đoạn*10

D. được xác định bằng Địa chỉ đoạn *10002

Câu 2: Trong máy tính số, bộ nhớ DRAM được coi là

A. Bộ nhớ bán dẫn tĩnh

B. Bộ nhớ bán dẫn động

C. Bộ nhớ Cache

D. Bộ nhớ bán dẫn

Câu 3: Trong chế độ thực ô nhớ có địa chỉ logic 3ACFh:1000h có địa chỉ vật lý là

A. 4BCF0h

B. 3BCE0h

C. 3BCF0h

D. 3BDF0h

Câu 4: Khi CPU thực hiện lệnh theo kỹ thuật song song mức lệnh thì cách viết lệnh nào sau đây là hợp lý hơn

A. a:= x + 10; b:=a + 10; (1)

B. a:= x + 10; b:=x + 20; (2)

C. b:= x + 20; a:=b -10;   (3)

D. Cả (1) (2) (3) đều không thể thực hiện được theo kỹ thuật song song mức lệnh

Câu 5: Cấu trúc một khối Cache gồm các phần

A. Số hiệu thẻ - bit cờ F – khối dữ liệu

B. Số thứ tự khối cache – bit cờ F – khối dữ liệu

C. Vị trí khối trong Cache – bit cờ F – khối dữ liệu

D. Khối dữ liệu – số thứ tự khối cache - Vị trí khối trong Cache

Câu 6: Khi CPU thực hiện lệnh với số lần lặp là 10 thì giá trị bắt đầu của

A. Thanh ghi CX=000Ah

B. Thanh ghi CX=10h

C. Byte cao của thanh ghi CX bằng 0000 1010b

D. Byte thấp của thanh ghi CX bằng 00001010b